VCU颅脑损伤控制仪

细胞颅脑损伤仪(Cell Injury Controller II)

创伤性脑损伤是神经外科最常见的疾病，是导致创伤患者伤残及死亡的主要原因。研究脑损伤后的神经生化、shen jing bing 理生理等方面的变化，可为探索行之有效的脑保护治疗提供帮助，将有助于提高颅脑损伤患者的生存率及生存质量。故建立各种便于观察和施加干预因素、控制性佳、可分级、可复制性好并符合人类脑创伤特点的创伤性人类脑创伤特点的创伤性脑损伤模型，是目前创伤性脑损伤的研究热点。

细胞损伤控制仪（Cell Injury Controller II）采取电子式控制，适合脑源性细胞培养样品，或其它离体培养细胞的牵张性损伤模型制作。损伤后可进行神经生化、形态学、生理学，药物干预等方面的研究。

细胞损伤控制仪使用Flexcell公司的Tissue Train 三维细胞组织应力加载系统。

细胞损伤控制仪平均把压缩气体送到每个培养室，以造成培养组织牵张性的损伤，损伤的严重程度是依靠控制进出密闭培养室的气体量。培养室的峰值压力同时被记录下来，这个数值可以用来精确地表明引起牵张性细胞损伤的气压值。细胞损伤控制仪（CIC II）可以搭配BioFlex 57.75cm 柔性基底培养板。

因为受损后的细胞或许会因为上述因素死亡或修复，所以根据所采用的细胞种类、损伤的程度、培养的状况，细胞损伤控制仪(CIC II)很适合应用在下列损伤反应研究：细胞受损、修护，死亡，药物介入。

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