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Kriz Sensors中国
德国克里兹Kriz Sensors公司始建于1992年,是一家专业设计和制造环境温度高达250℃的接近传感器。Kriz生产的系列产品,是为适应苛刻的高温环境而特别设计的,能在高温环境中进行长久且可靠的工作。Kriz高温传感器满足行业标准要求,已经*应用于各种行业,包括在高温环境中监控和检测物质的运动即钢铁行业,汽车业和航空业中的无硅喷涂行业等。
Kriz Sensors主要型号:
IN3-12HT-150、IN4-12HT-150、IN2-12HT-220EXT-T、IN8-18HT-150、IN5-18HT-180、IN8-18HT-180、IN5-18HTS-230EXT-T、IN5-18HT-230EXT-T、IN10-30HT-150、IN15-30HT-150、IN8-30HTS-150*、IN15-30HTS-150*、IN10-30HT-180、IN15-30HT-180、IN10-30HT-230EXT-T、IN15-30HT-230EXT-T、IN20-50HT-230EXT-T、IN30-50HT-230EXT-T
KRIZ传感器 M50 HT
KRIZ传感器 M30 HT
Kriz Sensors传感器IN8-30HTPS/16MT/M12
Kriz Sensors传感器IN8-30HTPS/16MT
Kriz Sensors传感器IN15-30HTPS/16MT
Kriz Sensors传感器IN5-18HTPS T=180
Kriz Sensors接近开关IN5-18HTPS
Kriz Sensors接近开关IN5-18HT-180
Kriz Sensors传感器IN8-30HTPS/16MT
Kriz Sensors传感器IB30A800(IN8-30HTPS/4MT/M12)
德国克里兹Kriz Sensors公司始建于1992年,是一家专业设计和制造环境温度高达250℃的接近传感器。Kriz生产的系列产品,是为适应苛刻的高温环境而特别设计的,能在高温环境中进行长久且可靠的工作。Kriz高温传感器满足行业标准要求,已经*应用于各种行业,包括在高温环境中监控和检测物质的运动即钢铁行业,汽车业和航空业中的无硅喷涂行业等。
Kriz Sensors主要型号:
IN3-12HT-150、IN4-12HT-150、IN2-12HT-220EXT-T、IN8-18HT-150、IN5-18HT-180、IN8-18HT-180、IN5-18HTS-230EXT-T、IN5-18HT-230EXT-T、IN10-30HT-150、IN15-30HT-150、IN8-30HTS-150*、IN15-30HTS-150*、IN10-30HT-180、IN15-30HT-180、IN10-30HT-230EXT-T、IN15-30HT-230EXT-T、IN20-50HT-230EXT-T、IN30-50HT-230EXT-T
Kriz Sensors
国家:德国
品牌:Kriz Sensors
产品:传感器、温度传感器、接近开关、高温传感器等
压阻式
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器普遍。
热电阻
热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
[传感器(图6)] 传感器(图6)
热电阻大都由纯金属材料制成,应用多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
压阻式
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器
热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
[传感器(图6)] 传感器(图6)
热电阻大都由纯金属材料制成,应用多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
压阻式
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而
热电阻
热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
[传感器(图6)] 传感器(图6)
热电阻大都由纯金属材料制成,应用多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
压阻式
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传
热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
[传感器(图6)] 传感器(图6)
热电阻大都由纯金属材料制成,应用多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
激光传感器工作时,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号,并将其转化为相应的电信号。
利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。
霍尔
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,
[传感器(图8)] 传感器(图8)
广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。激光传感器工作时,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号,并将其转化为相应的电信号。
利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。
霍尔
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,
[传感器(图8)] 传感器(图8)
广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。激光传感器工作时,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号,并将其转化为相应的电信号。
利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。
霍尔
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,
[传感器(图8)] 传感器(图8)
广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。