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nanoplus InGaAsSb 光电二极管
nanoplus 最新推出的InGaAsSb（锑砷化铟镓）光电二极管，以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料，相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内，峰值波长为1880nm，采用TO5封装，有效面积为Ø1mm，Ø2mm和Ø3mm，具有响应速度快、灵敏度高等特点，非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。
nanoplus InGaAsSb 光电二极管主要特点
波长范围1000nm-2600nm
Ø1mm，Ø2mm和Ø3mm有效面积
采用TO5封装，带或不带制冷器
高灵敏度气体分析
过程控制、环境监测
各种分析仪器等
nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性：
| 主要参数特性 (T = 25 °C) | 符号 | 单位 | 标准 |
| Spectral response range | I | nm | 1000-2600 |
| Peak sensitivity wavelength | Ip | nm | 1880 |
| Peak responsivity | Rp | A/W | 0.66 |
| Dark current without bias | ID | nA | 95 |
| Junction capacitance | CJ | pF | 41 |
| Shunt resistance | Rsh | Ω | 17 |
