产品介绍

VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-，InP-)相关的半导体化合物，在外延方面有35年的经验，并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层，具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统，拥有水平层流反应器，进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合，为各种微电子和光子应用提供外延服务，下游的应用包含三极管，二极管，激光器，探测器等。具有以下特点：

• 外延纳米技术，超越单一技术解决方案

• 大规模生产或小批量制造，提供多类优质外延片

• 生产的高级III-V族化合物半导体外延结构，被广泛运用于光子设备（F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器）、微电子设备（二极管、晶体管）

• 聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品，可提供全面的研发服务。

III-V族外延晶片主要特点

• 超高纯度

• 精确控制厚度在±1nm

• 优秀的均匀性

• 重现性

• 可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸

产品性能

XRD曲线：

产品纯度一致性：

表面粗糙度：

量子井：

产品应用

半导体类型：

• 场效应晶体管，被动器件，高迁移率晶体管

• EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

• LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

• InGaAs, AlGaAs探测器,SWIR, LWIR

外延晶圆类型：

• GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

• InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y