R&S/罗德与施瓦茨 品牌
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深圳市所在地
罗德信号发生器SMU200A出售
我公司有4台SMU200A可以出售、可以出租
有两端口3GHz 高配
也 有单端口3GHz
罗德信号发生器SMU200A出售
主要特点:
从100 kHz到2.2/3/4/6 GHz的一个射频路径
可选第二个射频路径,从100 kHz到2.2/3 GHz
多两条完整的基带路径
支持3GPP LTE FDD和TDD、LTE Advanced、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、TD-SCDMA、WLAN和所有其他重要的数字标准
可实现实时衰落的2×2 MIMO
2×4或4×2mimo可组合的两个仪器
可选衰落模拟器,多40条衰落路径
200mhz射频带宽I/Q调制器
可选基带发生器与实时编码器和任意波形发生器
出色的射频性能
简介:
R&S®SMU200A矢量信号发生器不仅在一个只有四个高度单元的机柜中组合了多达两个独立的信号发生器,还提供了的射频和基带特性。发电机的设计满足了现代通信系统研发和生产中遇到的所有要求。
由于其模块化设计,R&S®SMU200A可以佳地适应不同应用的要求。一个射频路径可配备四个可用频率选项中的一个。用户可选择频率上限2.2 GHz/3 GHz/4 GHz或6 GHz。此外,第二射频路径可以安装在频率上限为2.2 GHz和3 GHz的情况下。所有频率选项的频率下限为100 kHz。
基带部分多可安装两个发电机。它们实时产生复杂的信号,并配备有一个任意波形发生器,其I和Q(512兆字节)的大简单内存为128M。不同基带中产生的信号可以相加。单个信号的频率偏移是可能的。可选的内部衰落模拟器提供多达40条衰落路径来模拟多径传播。
R&S®SMU200A可配备多种选项,例如,适用于当今所有重要的数字标准以及功能和性能增强,如MIMO衰落或相位相干性。有关所有可用选项的列表以及指向各个选项的详细信息的链接,请参阅“订购信息”。
R&S®SMU200A的现代、直观的概念确保了快速、简单的操作。
两个信号发生器合一
1号射频路径的频率选项从100 kHz到2.2/3/4/6 GHz
可选第二条射频路径,高可达2.2 GHz或3 GHz
多两条完整的基带路径
数字域中基带信号的无损组合(例如用于测试多标准基站)
zhuo越的信号质量
200mhz射频带宽I/Q调制器
极低的SSB相位噪声。-135 dBc(f=1 GHz,20 kHz载波偏移,1 Hz测量带宽),典型值。-139 dBc,具有增强的相位噪声性能选项
典型的宽带噪声。-153 dBc(CW,f=1 GHz,>10 MHz载波偏移,1 Hz测量带宽)
对于3GPP FDD来说,典型的+70 dB的ACLR非常出色
0.05分贝的*水平重复性
标准高稳定性参考振荡器
输出功率高达19 dBm+26 dBm
的灵活性
2 x 2 MIMO,可实现实时衰落
2 x 4或4 x 2 MIMO可组合两个仪器
可选衰落模拟器,多40条衰落路径
支持EUTRA/LTE FDD和TDD信号生成
支持WiMAX™ IEEE 802.16-2004/Corr1-2005、802.16e-2005和WiBro
支持HSDPA和HSUPA的3GPP-FDD四个实时码道
每帧有一个帧和一个帧的相同的帧速率
用于实时信号产生的通用编码器基带发生器
16、64、128任意波形发生器
R&S®WinIQSIM2支持的任意波形发生器™ 和R&S®WinIQSIM™ 仿真软件
直观操作
800×600像素彩色显示器(SVGA格式)
直观的用户界面和图形化的信号流显示(框图)
通过内置瞬态记录仪显示基带信号
上下文相关帮助系统
非常适合生产
频率和电平设置时间非常短(<2 ms);列表模式下只有450µs
全电平范围内高达6GHz的电子衰减器
射频列表模式和多段波形的灵活高速测量
两台完整发电机安装在一台只有四个高度单元的仪表中时所需的小空间
连通性
可选数字I/Q输入和输出;支持R&S®EX IQ Box,用于灵活的数据格式和时钟生成
支持R&S®NRP功率传感器
通过LAN(千兆以太网,VXI11)和GPIB进行远程控制
通过Windows远程桌面或VNC进行远程操作
用户可选择的触发和标记信号
用于键盘、鼠标和记忆棒的USB接口
LXI C类合规性
Frequency | ||
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Frequency range RF path A | 100 kHz to 3GHz | |
Frequency range RF path B | 100 kHz to 3 GHz | |
Setting time | SCPI mode | <2 ms, typ. 1.5 ms |
Level | ||
Maximum level (standard) | f≤3 GHz | +13 dBm (PEP) |
Maximum level (with high-power option) | f≤3 GHz | +19 dBm (PEP) |
Setting time | SCPI mode | <2 ms, typ. 1.5 ms |