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砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力*。它在2000nm-14000nm光谱范围内有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统,在现场环境很差,光学镜头和窗口需要反复擦拭的情况下,砷化镓常被用来代替硒化锌作为红外镜头或窗口的材料。
折射率随波长的变化
波长(nm) | 折射率(n) | 波长(nm) | 折射率(n) |
4000 | 3.31 | 14500 | 2.82 |
8000 | 3.34 | 15000 | 2.73 |
10000 | 3.13 | 17000 | 2.59 |
11000 | 3.04 | 19000 | 2.41 |
13000 | 2.97 | 21900 | 2.12 |
光学性质
通过波长范围 | 1000nm-14000nm |
吸收系数(1/cm) | 0.01@1500nm-11000nm |
热光系数 ,dn/dT(1/K) | 160-120*10^-6%@3000nm-12000nm |
理化性质
密度( g/cm3) | 5.32 |
熔点(℃) | 1238 |
热膨胀系数(1/℃) | 5.7*10^-6@300K |
介电常数 静态/高帧 | 12.85/10.88@300K |
体弹模量(GPa) | 101.32 |
剪切模量(GPa) | 55.66@298K |
热导率(J/k.m.s) | 55@300K |
热容量(J/g.k) | 0.32 |
knoop硬度(kg/mm2) | 731 |
水溶性(g/l) | 1.7 |
杨氏模量(GPa) | 138.5@298K |
泊松比 | 0.31@293K |