plasma去胶机去胶的影响因素有哪些?
时间:2023-01-31 阅读:914
我们大部分人都知道等离子有清洗活化的功能,今天我们来探讨下plasma去胶机。
plasma去胶机反应机理:在干法plasma去胶技术中,氧是首要腐蚀气体。它在真空plasma去胶机反响室中受高频及微波能量效果,电离发生氧离子、游离态氧原子O*、氧分子和电子等混合的等离子体.
plasma去胶操作方法:将待去胶片插入石英舟并平行气流方向,推入真空室两电极间,抽真空到1.3Pa,通入恰当氧气,坚持真空室压力在1.3-13Pa,加高频功率,在电极间发生淡紫色辉光放电,经过调理功率、流量等技术参数,可得不一样去胶速率,当胶膜去净时,辉光不见。
plasma去胶影响要素:
1.频率挑选:频率越高,氧越易电离构成等离子体。频率太高,以致电子振幅比其平均自由程还短,则电子与气体分子磕碰概率反而减少,使电离率降低。
2.功率影响:关于必定量的气体,功率大,等离子体中的的活性粒子密度也大,去胶速度也快;但当功率增大到必定值,反响所能耗费的活性离子到达饱满,功率再大,去胶速度则无显着添加。由于功率大,基片温度高,所以应根据技术需求调理功率。
3.真空度的挑选:恰当进步真空度,可使电子运动的平均自由程变大,因而从电场取得的能量就大,有利电离。别的当氧气流量必守时,真空度越高,则氧的相对份额就大,发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高,活性粒子浓度反而会减小。
plasma去胶机的工作原理:
氧plasma去胶是利用氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体,具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应,是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室,从而达到去除光刻胶的目的,这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧plasma去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好,去胶过程纯干法工艺,无液体或者有机溶剂参与。当然我们需要注意的是,这里并不是说氧plasma去胶工艺*好于湿法去胶,同时也不是所有的光刻胶都适用于氧plasma去胶