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VS-Q2真空封管机粉末真空密封
真空封管机粉末真空密封是由封管机+氢氧机+真空泵组成，能够快速简易地对石英管抽真空密封，是对石英管真空密封技术的革新，石英管套在封管机上，抽真空的同时封管机使石英管旋转，用氢氧机的火焰枪烧结石英管，可对块状或粉末样品进行抽真空密封，整机采用不锈钢外壳一体成型，安装方便、操作简易，质保两年。 参考价面议 -
VP-Q10微波等离子去胶机
微波等离子去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，石英玻璃腔体，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。 参考价面议 -
VP-R5等离子体表面处理仪
等离子体表面处理仪VP-R5采用低温真空石英腔体等离子清洗装置技术，石英材质真空腔体不与等离子体产生反应，不会污染样品，两路进气通道，进气量可调，流量实时监测，数显真空检测，PLASMA等离子处理结束，自动泄压并实时观察自动泄压动态，中英文操作系统，触摸屏自动控制，功率160W，频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用。 参考价面议 -
VS-Q1真空封管机
真空封管机VS-Q1是由封管机+氢氧机+真空泵组成，能够快速简易地对石英管抽真空密封，是对石英管真空密封技术的革新，石英管套在封管机上，抽真空的同时封管机使石英管旋转，用氢氧机的火焰枪烧结石英管，可对块状或粉末样品进行抽真空密封，整机采用不锈钢外壳一体成型，安装方便、操作简易，质保两年。 参考价面议 -
VP-C50卷对卷真空等离子清洗机
卷对卷真空等离子清洗机VP-C50驱动滚轴转动，滚轴转速可调节，可停止，把卷材从滚轴A转移至滚轴B，转移的过程让卷材在真空环境下卷对卷地被等离子处理，VP-C50可按卷材的具体尺寸定制滚轴的长度，更好地匹配用户使用。VP-C50等离子体激发频率为13.56MHz，功率500W，高功率运行3分钟，腔体温度不高于45°C；低功率运行30分钟，腔体温度不高于40℃，不损伤样品。 参考价面议 -
VP-RS8Plasma Cleaner 等离子清洗机
Plasma Cleaner 等离子清洗机VP-RS8采用真空不锈钢腔体等离子清洗装置技术，真空腔体不锈钢材质，容积8升，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、微流控芯片PDMS键合、ITO、纤维、硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA处理。 参考价面议 -
VP-TS7旋转等离子体处理仪
旋转等离子体处理仪VP-TS7解决了微小颗粒特别是粉末样品PLASMA处理不充分，不均匀的痛点，真空腔体在等离子处理过程中滚动旋转，从而带动粉末样品在真空环境下翻滚，从而确保的样品得到充分、均匀的等离子处理。VP-TS7频率是13.56MHz，腔体容积7L，腔体材质不锈钢，转速可调，可关闭（不旋转相当于普通真空等离子处理仪），一机两用，性价比很高。 参考价面议 -
VP-TA2等离子低温灰化仪
等离子低温灰化仪VP-TA2解决了煤粉灰化的三个难点：灰化过程中旋转腔温度低，不破坏煤灰中矿物成分与结构的完整性；旋转腔在真空环境旋转，带动煤粉翻滚，对煤粉的灰化均匀且充分；自动化程度高，可全自动连续运行48小时以上，无需人工干预。 参考价面议 -
VP-TA2旋转型等离子低温灰化仪
旋转型等离子低温灰化仪VP-TA2解决了煤粉灰化的三个难点：灰化过程中旋转腔温度低，不破坏煤灰中矿物成分与结构的完整性；旋转腔在真空环境旋转，带动煤粉翻滚，对煤粉的灰化均匀且充分；自动化程度高，可全自动连续运行48小时以上，无需人工干预。 参考价面议 -
VP-R3等离子表面处理仪
等离子表面处理仪VP-R3采用低温真空石英腔体等离子清洗装置技术，腔体石英玻璃材质，容积3升，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行30分钟，腔体温度不高于32℃，不损伤样品，适用于微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA处理。 参考价面议 -
VP-RS20等离子体刻蚀机
等离子体刻蚀机VP-RS20采用真空不锈钢腔体等离子清洗装置技术，真空腔体不锈钢材质，容积20升，功率500W，频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于半导体刻蚀、芯片刻蚀、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料刻蚀处理。 参考价面议 -
VP-RS8等离子体去胶机
等离子体去胶机VP-RS8腔体采用不锈钢材质，容积8升，功率500W，频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、芯片去胶、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料。 参考价面议