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主回路结构采用不控整流加升压环节,将交流输入通过整流桥全波整流为直流后,采用IGBT元件组成的 DC/DC 电路直流升压到一个较高的恒定直流电压(与可控硅整流的效果相反,通过这种IGBT 整流可以得到一个高于全波整流输出电压的恒定直流电。并将其作为直流母线,为电池充电电路(充电电路也采用 IGBT充电技术,可实现电池直接挂母线方式所无法作到充电效果)及逆变输出部分提供电能。由于直流母线电压足够高,经过IGBT高频逆变调整后,可直接得到恒定的逆变输出电压。此时无须在加一个升压环节,*可以省掉输出升压变压器。
对许多人来说,答案在于使用边缘计算,特别是将计算能力和存储能力更接近于收集数据的位置。这引出了另一个问题:物联网的增长和边缘计算的使用是否会影响数据中心和托管市场的发展?如果是这样,它会使传统数据中心变得多余,还是将其提升到新的重要性?
对此没有一个明确的答案。物联网和边缘计算对数据中心的影响取决于许多技术方面和购买行为动态的交集。这些包括:
•物联网的使用——目前物联网的使用仍然是高度垂直化的,集中在一些高潜力的使用案例上,如医疗保健、零售和制造业。
•5G的成熟——虽然该技术已经推向消费者市场,但实现下一步发展的平台在安全性和覆盖范围方面的问题上犹豫不决。
•采用数据分析——与物联网的方式基本相同,人们普遍接受数据分析具有巨大潜力。然而,与物联网的吸收和优化相对应,分析的机会*于垂直应用程序。
•边缘区域托管的可行性——移动特定于位置的边缘实例的可行性以及启动所需计算和边缘通信的能力将取决于区域数据中心的位置,并减轻公共云的成本和性能限制。
•客户数据湖的扩展——客户数据湖的成熟是在云边界之外策划的,有可能在云中更广泛地整合发布之前支持边缘应用程序。
•边缘计算要求的位置——边缘计算的位置,无论是在物理位置还是结构上,在该模型中都具有较高的经济权重,并将对结果产生显著影响。