半导体SiC动态参数测试仪

技术指标

1.小电流i-v ： 超低漏电流（fA），最 大电压200V，最大电流1A； 2.高电压I-V ： 最大电压1000V 3.通用I-V ： 适合于大多数参数测试 4.c-v单元： 能够在1MHz下测量10pF电 容，准确度达1%。

主要功能

自动完成多路硅微条探测器中多条探测单元的I-V特性、C-V特性、击穿特性等参数测量，无需人工一点一点的测量。其主要任务是快速高效地甄别多路硅微条探测性能，从而优化工艺，提高探测器性能，更好的服务于核物理实验。

包括：

半导体二极管：锗二极管、硅二极管、化合物二极管等；

半导体三极管：锗三极管、硅三极管、化合物三极管等；

特种器件及传感器；

敏感器件：压力敏感器件、磁敏器件（含霍尔器件及霍尔电路）、气敏器件、湿敏器件、离子敏感器件、声敏感器件、射线敏感器件、生物敏感器件、静电感器件等；

装好的压电晶体类似半导体器件；

半导体器件专用零件。

半导体SiC动态参数测试仪

武汉赛斯特精密仪器有限公司是武汉市专业研发，以力学试验机仪器为主，同时销售各种、中低端分析仪器。现有员工60多人，公司成功开发了PCI放大采集卡和中文版试验软件，并采用全数字化，操作简捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等标准、国家标准、行业标准的要求，公司亦通过了ISO9001质量体系认证和国家计量体系认证，荣获了“武汉市第九界消费者满意单位”的称号。