德国Innolume 超级发光二极管(SLD),类似于激光二极管，超辐射发光二极管基于电驱动的pn结，当正向偏置时，该pn结变成光学活性的，并在宽波长范围内产生放大的自发辐射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计成对于沿波导产生的自发辐射具有高的单程放大，但是与激光二极管不同，不足以反馈来实现激光作用。这是通过倾斜波导和抗反射涂层小平面的联合作用获得的。

SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。因为它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白光源。这一特性主要反映在光源的低时间相干性上(这是发射光波随时间保持相位的有限能力)。然而，SLD可以表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLDs源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是经常用来表征光源的时间相干性的量。它与光干涉仪两臂之间的光程差有关，光波在该光程差上仍能产生干涉图样。

一方面，SLD是被优化以产生大量放大自发辐射(ASE)的半导体器件。为此，它们集成了高功率增益部分，其中种子自发辐射以30 dB或更高的高增益系数放大。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不会发生激光作用。通过相对于波导倾斜刻面来抑制由来自光学部件(例如进入腔内的连接器)的光的背反射产生的光学反馈，并且可以用抗反射涂层来进一步抑制。避免了谐振器模式的形成以及光谱中的明显结构和/或光谱变窄。