塑料薄膜金属镀层电导率电阻率测试仪用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距塑料薄膜金属镀层电导率电阻率测试仪计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因

子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。

对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100

μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平

头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不

小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形

操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针

0℃-40℃，小刻度为0.1℃。

光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影

响测试结果，

甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具

有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表

面粘污等会影响测试结果，

R(TD-R_xF式中:

计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).

试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,

s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄

层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)

见式(5).

用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置

的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.

接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1

所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据

至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。

操作步骤及流程

3.1.本机可以依据不同测试产品选择配置不同的测试治具，以下举例操作说明

3.1.1.在开机界面按下按键板上的“显示”键，进入测量界面。如图1

3.1.2 如图2，在液晶显示屏右侧有4个蓝色功能按键，当测材料电阻率时，请选择 “材料”按键 ，进入材料测试主界面.  

3.1.3.在该界面下通过按下按键板上的上下左右键，可以移动蓝色光标选择相应的参数。如图2，将移动到某一参数的位置，按下“设置”键，光标将变为深蓝色。此时通过上下左右键和数字键可以对相应的参数进行设置，设置完毕后按“确定”键返回。