聚合物1MHZ介电常数测试仪电桥在使用过程中，灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度，为保证测量准确度，希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压，标准电容量成正比。在下面的计算公式中，用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平，在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。

 DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ为测量电压                     伏特（Ｖ）

ω为角频率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ标准电容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另仪的电流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另仪内阻约1500              欧姆（W）

          Ｒ４桥臂R4电阻值3183                 欧姆（W）

          Ｃｘ被测试品电容值                    皮法（ｐF）

3 电容量及介损显示精度：

    电容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  损： ±0.5％tgdx±1×10-4

4 辅桥的技术特性：

    工作电压±12V，50Hz

    输入阻抗>1012　W

    输出阻抗>0.6 W

    放大倍数>0.99

    不失真跟踪电压  0～12V（有效值）

5 指另装置的技术特性：

    工作电压±12V

    在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V／格， 电流灵敏度不低于2X10-9A／格

    二次谐波  减不小于25db

    三次谐波  减不小于50db

特点：优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度

作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。

标准配置：高配Q表 一只  试验电极  一只 （c类）电感      一套（9只）电源线    一条说明书    一份合格证    一份保修卡    一份

为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。

介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。

注：这个性质不是成立的。

对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。

但对于两个绝缘体就不一定了。

介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。

补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。

对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同

介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。

损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。

概念：

电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。

形式

各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：

1）漏导损耗

实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。

2）极化损耗

在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。

　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。

若外加频率较低，介质中所有的极化都能跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。

电离损耗

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。

结构损耗

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。

试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。

宏观结构不均勾性的介质损耗

工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。

表征：

电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为

ω=σE2

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。

D，E，J之间的相位关系图

D，E，J之间的相位关系图

如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。

定义

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。

紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O3·2SiO2）、董青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

玻璃的损耗

复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

陶瓷材料的损耗

陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。

在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。

高分子材料的损耗

高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。

聚合物1MHZ介电常数测试仪

极限位置保护等；

本机采用机电一体化设计 ，主要由测力传感器、变送器、微处理器、负荷驱动机构、计算机及彩色喷墨打印机构成。它具有宽广准确的加载速度和测力范围，对载荷、位移的测量和控制有较高的精度和灵敏度，还可以进行等速加载、等速位移的自动控制试验。落地式机型 ，造型涂装均充分考量了现代工业设计，人体工程学之相关原则。

主要特点:采用进口光电编码器进行位移测量，控制器采用嵌入式单片微机结构，内置功能强大的测控软件，集测量、控制、计算、存储功能于一体。具有自动计算应力、延伸率（需加配引伸计）、抗拉强度、弹性模量的功能，自动统计结果；自动记录大点、断裂点、点的力值或伸长量；采用计算机进行试验过程及试验曲线的动态显示，并进行数据处理，试验结束后可通过图形处理模块对曲线放大进行数据再分析编辑，并可打印报表。：3年保修，终身维护！

注意事项1、该仪器初始的包装材料需小心保存，安装需由本公司的专业技术人员进行操作。2、若仪器由于任何原因必须返修，必须将其装入原纸箱中以防运输途中损坏。3、在开机前，操作者要首先熟悉操作方法。

使用本机之前，请认真阅读使用说明书，充分理解之后，再开机使用。请爱护本机，正确使用，以便使该机永远保持较高的精度和良好的运行状态。

中国检测行业与验证服务的者和智领者，帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。

满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法准确度ALC ON 10% x设定电流 + 20μAALC OFF 6% x设定电压 + 20μADC偏置电压源电压 / 电流范围：0V—±5V / 0mA—±50mA分辨率：0.5mV / 5μA电压准确度：1% x设定电压 + 5mVISO ON：用于电感、变压器加偏置测试AC源内阻ISO ON：100ΩISO OFF：30Ω、50Ω、
电源电压：220V±20%，50Hz±2Hz功耗80VA体积(W×H×D)： 280 mm × 88 mm × 370 mm(无护套)，369 mm × 108 mm × 408 mm(带护套)。重量：约5kg将在以后的测试过程中进行开路校正计算。如果频率1，频率2。设置为OFF, 开路校正计算采用插入法所计算出的当前频率的开路校正数据。如果频率1，频率2 设置为ON, 同时当前测试频率等于频率1，频率2， 则频率1，频率2 的开路校正数据将被用于开路校正的计算。
平衡测试功能变压器参数测试功能测试速度:13ms/次电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、I 测试信号电平监视功能内部自带直流偏置源可外接大电流直流偏置源10点列表扫描测试功能30Ω、50Ω、100Ω可选内阻内建比较器，10档分选和计数功能内部文件存储和外部U盘文件保存测量数据可直接保存到U盘RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口
选件，DCI与GPIB 只能2者选1通用技术参数工作温度, 湿度：0℃－40℃, ≤ 90%RH
列表扫描10点列表扫描可对频率、AC电压/电流、内/外DC偏置电压/电流进行扫描测试每扫描点可单独分选内部非易失性存储器：100组LCRZ仪器设定文件，201次测试结果外部USB存储器GIF图像LCRZ仪器设定文件测试数据USB存储器直接存储
接口I/O接口：HANDLER，从仪器后面板输出串行通讯接口：USB、RS232C并行通讯接口：GPIB接口（选件）网络接口：LAN存储器接口：USB HOST（前面板）偏置电流源控制接口DCI
技术参数显示器:480×RGB×272，4.3寸TFT LCD显示器。测试信号频率：20Hz—1MHz分辨率：10mHz，4位频率输入准确度：0.01%AC电平测试信号电压范围：10mV—2Vrms电压分辨率:100μV，3位输入准确度ALC ON 10% x设定电压 + 2mVALC OFF 6% x设定电压 + 2mV测试信号电流范围：100μA—20mA电流分辨率：1μA，3位输入
性能特点4.3寸TFT液晶显示中英文可选操作界面高1MHz的测试频率，10mHz分辨率
GDAT-S 的短路校正功能能消除与被测元件相串联的寄生阻抗（R, X）造成的误差。
移动光标至短路设定域，屏幕软键区显示下列软键。
短路校正功能操作步骤短路校正包括采用插入计算法的全频短路校正和对所设定的2 个频率点进行的单频短路校正。执行下列操作步骤利用插入计算法对全频率进行短路校正。
按软键 关 ，关闭开路校正功能。以后的测量过程中将不再进行开路校正的计算。短路校正
使用DCI接口可控制外部直流偏流源，偏置电流可达120A。

一、  概述

介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。

二、  测试原理

采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。

本测试装置是由二只测微电容器组成，平板电容器一般用来夹持被测样品，园筒电容器是一只分辨率高达0.0033pF的线性可变电容器，配用仪器作为指示仪器，绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放进平板电容器和不放进样品的Q值变化，由园筒电容器的刻度读值变化值而换算得到的。同时，由平板电容器的刻度读值变化而换算得到介电常数。

三、仪器的技术指标

1．Q值测量范围：2～1023

2．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；

3．电感测量范围：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能4.5nH-100mH 分别有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九个电感组成。

4．电容直接测量范围：1～460pF                                                

5．主电容调节范围： 30～500pF                                            

6．电容准确度 150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%                                                                   7．信号源频率覆盖范围10KHz-70MHz （双频对向搜索  确保频率不被外界干扰）另有GDAT-C 频率范围10KHz-70MHz及200KHZ-160M

8、型号频率指示误差：1*10^-6 ±1                                      

Q值合格指示预置功能范围：5～1000

Q值自动锁定，无需人工搜索

9．Q表正常工作条件

a. 环境温度：0℃～+40℃

b．相对湿度：<80％；

c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

10．其他

a．消耗功率：约25W；   

b．净重：约7kg；   

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

11．产品配置：

a.测试主机一台；

b.电感一套；

c.夹具一 套

四、性能特点：

1.    平板电容器

极片尺寸：φ25.4mm\φ50mm

极片间距可调范围和分辨率：≥10mm，±0.01mm

2.    园筒电容器

电容量线性：0.33pF / mm±0.05 pF

长度可调范围和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm

3.  夹具插头间距：25mm±1mm

4.  夹角损耗角正切值：≤4×10－4（1MHz时）

5、数显电极

五. 维修保养

本测试装置是由精密机械构件组成的测微设备，所以在使用和保存时要避免振动和碰撞，要求在不含腐蚀气体和干燥的环境中使用和保存，不能自行拆装，否则其工作性能就不能保证，如测试夹具受到碰撞，或者作为定期检查，要检测以下几个指标：

1.    平板电容器二极片平行度不超过0.02mm。

2.    园筒电容器的轴和轴同心度误差不超过0.1mm。

3.    保证二个测微杆0.01mm分辨率。

4.    用精密电容测量仪（±0.01pF分辨率）测量园筒电容器，电容呈线性率，从0~20mm，每隔1mm测试一点，要求符合工作特性要求。

附表一,介质损耗测试系统主要性能参数一览表

BH916测试装置                                        GDAT高频Q表

平板电容极片 Φ50mm/Φ25.4mm                         可选频率范围10KHz-70MHz

间距可调范围≥15mm                                   频率指示误差3×10-5±1个字

夹具插头间距25mm±0.01mm                             主电容调节范围30-500/18-220pF

测微杆分辨率0.001mm                                  主调电容误差<1%或1pF

夹具损耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)                    Q测试范围2～1023

附表二    电感组典型测试数据

如果e保持常数（已知电平）一个约定的电压表连于回路电容的两端，电压表的指示直接用回路Q的单位进行定标，从而能直接读出回路的Q值。

串联谐振电路中，有效电阻R，除被测电感有效电阻外，还包括Q表内部调谐电容器，指示电压表，宽带变压器和接线柱等损耗等效电阻值。所以Q表测得值将稍低于被测电感的实际的有效Q值。

基于上述理由，为了正确地测量元件的Q值，还需要考虑到测试回路中残余参数的影响。

本机测试回路中残余成分是很小的，对一般的测量可予忽略，即Q表指示

读得值等于被测元件的有效Q值。对测试频率高于10MHz，又要较高精确度时，需按均值进行修正。均值的高低能直接表征Q表自身回路的品质优劣。不能提供均值的Q表，其测得Q值的有效性不能得到确认。Q表修正值见第13页的表格。(1) Q量程键：开机默认状态为Q值手动量程(Manual)的MQ档。按Q量程键即为Q值自动量程（Auto），再按该键，又为手动量程。

(2) Q记忆键：按该键即能实现Q值自动记忆功能，此时显示屏上以较小字体 显示的Q值为调谐过程中的变化值，而Q值框内为谐振峰值，即Q值。

(3) Σ测量键:这是对绝缘材料进行介电常数（ε）和损耗角正切值（tanδ）测量的功能键。要完成该功能测量还需相应的测试夹具和调谐电感器的配合。

(4) Q预置键，当按键后，即能把当时显示的Q值作为预置值，以后当测试超过该值时，会显示“GO”并蜂鸣，表示超过原预置值。适宜于批量元件测试。

(5) 彩屏显示区，（见4.3显示屏示意图五）。

(6) 频率设置数字和小数点键共11个。。

(7) “SET”键，快速按一次该键，就进入频率值数字设置状态，通过11个数字和小数点键设置具体频率值，显示屏左上方显示设置的频率值，再按一次“SET”键，即完成频率数字设置。

(8) 信号输出端口：能输出测试信号，频率从1kHz至70MHz，幅值约50mV(1kΩ)。

(9) 当长按“SET”键后，频率显示会从四位数显改变为八位数显，其中一位数在闪变，这时调此频率调节旋钮，顺时针转动频率，反之，降低频率值。

(10) 频率调节粗细选择键，通过该二键选择，使频率调节旋钮的调节细度在合适的位置上。当功能键“Σ测量”启动时，其中“▶”键又复用为“NET”键。

(11) “MHz/kHz”频率单位选择键。

(12) USB通讯口座。

(13)  同轴慢转调谐旋钮，通过该旋钮仔细调谐达到谐振（即大Q值）。

(14) 测试回路接线柱：左边是电感器接线柱，右边是接电容器接线柱。

1 测试工作频率。

2 有效Q值显示，当Q记忆时为调谐过程中Q大值显示，即Q测得值。

3 调谐过程中Q变化值，显示调谐过程帮助操作者调谐用。

4 调谐电容值。

5 软件自动计算的有效L值。

6 Q预置值。

7 超过预置值的显示符号，同时发声。

8 Q量程显示。

9 Q量程手动或自动显示。

10 调谐中Q变化的百分比。

11 Q调谐指针。变压器介质损耗测试仪流体排出法

在电容率近似等于试样的电容率，而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量，这种测量与试 样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时，试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中 消去.

 试样为与试验池电极直径相同的圆片，或对测微计电极来说，试样可以比电极小到足以使边缘效应 忽略不计。在测微计电极中，为了忽略边缘效应，试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度’

5. 1.2.3 边缘效应

为了避免边缘效应引起电容率的测量误差，电极系统可加上保护电极。保护电极的宽度应至少为 两倍的试样厚度，保护电极和主电极之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环，通常需对边缘电 容进行修正，表1给出了近似计算公式。这些公式是经验公式，只适用于规定的几种特定的试样形状。

此外，在一个合适的频率和

1— —温度计插孔s

2— —绝缘子s

3— —过剩液体溢流的两个出口 0

图3测■液体的两电极试验池示例1——温度计插孔《

2 1 mm厚的金属板彳

3——石英玻璃&

4 1 mm或2 mm的间隙；

5——温度计插孔。

图4液体测量的平板两电极试验池

附录A

（资料性附录）
仪 器

A. 1西林电桥

A. 1. 1概述

西林电桥是测量电容率和介质损耗因数的经典的装置.它可使用从低于工频（50 Hz〜60 Hz） 直至100 kHz的频率范围，通常测定50 pF〜1 000 pF的电容（试样或被试设备通常所具有的电容）。

这是一个四臂回路（图A.l）o其中两个臂主要是电容（未知电容役和一个无损耗电容另外 两臂（通常称之为测量臂）由无感电阻R和R组成，电阻死 在未知电容Cx的对边上，测量臂至少被 一个电容G分流。一般地说，电容G和两个电阻R和死 中的一个是可调的，

如果采用电阻艮和（纯）电容Cs的串联等值回路来表示电容Cx,则图A. 1所示的电桥平衡时 导出：

Cs = Cn •  （ A* 1 ）

和 tan（5x =（V Cs^s — } R  （ A. 2 ）

如果电阻R被一个电容G分流，则姑渺的公式变为：

tan^x = Ci-Ri —— （ A. 3 ）

由于频率范围的不同，实际上电桥构造会有明显的不同&例如一个50 pF〜1 000 pF的电容在 50 Hz时的阻抗为60 MC〜3 MQ,在100 kHz时的阻抗为3 000 Q〜1 500

频率为100 kHz时，桥的四个臂容易有相同数量级的阻抗，而在50 Hz〜60 Hz的频率范围内则是 不可能的。因此，出现了低频和（相对）高频两种不同形式的电桥。

A. 1.2低频电桥

一般为高压电桥，这不仅是由于灵敏度的缘故，也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗 关注的问题.电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多，结果，绝大部分电压都施加在电容 Cx和Cn上，使电压分配不平衡。上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成 立。同时，屏蔽必须接地，以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容G和*是一 致的，这个保护对于CN来说是的。

由于选择不同的接地方法，实际上形成了两类电桥。

A. L2. 1带屏蔽的简单西林电桥

桥的B点（在测量臂边的电源接线端子）与屏蔽相连并接地。

屏蔽能很好地起到防护高压边影响的作用，但是增加了屏蔽与接到测量臂接线端M和N的各根 导线之间电容，此电容承受跨接测量臂两端的电压，这样会引入一个通常使姑温的测量精度限于 0.1%数量级的误差，当电容公和言不平衡时尤为显著。

A. 1.2. 2带瓦格纳（Wagner）接地电路的西林电桥

图A.2示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法,这种方法是通过使用外接辅助桥臂 Za、ZN瓦格纳接地电路），并使这两个辅助桥臂的中间点P接到屏蔽并接地。调节辅助桥臂（实际为 ZQ以使在ZA和Ze上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等。显然，这个解决方法包 括两个桥即主桥AMNB和辅桥AMPB（或ANPB）同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐 次地逼近平衡而终达到二者平衡，用这种方法精度可以提高一个数量级，这时，实际上该精度只决定 于电桥元件的精密度。

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必须指出，只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘, 则必须使用更复杂的装置（双屏蔽电桥）.

A. 1.3高频西林电桥

这种电桥通常在中等的电压下工作，是比较灵活方便的一种电桥；通常电容CN是可变的（在高压 电桥中电容通常是固定的），比较容易采用替代法。

由于不期望电容的影响随频率的增加而增加，因此仍可有效使用屏蔽和瓦格纳接地线路。

A. 1.4关于检测器的说明

当西林电桥的B点接地时，必须避免检测器的不对称输入（这在电子设备中是常有的）。

然而这样的检测器只要接地输入端总是连接于P点，就能与装有瓦格纳接地线路的电桥一起 使用。

A.2 变压器电桥（电感比例臂电桥）

A.2. 1概述

这种电桥的原理比西林电桥简单。其结构原理见图A. 3O

当电桥平衡时，复电抗厶和Zm之间的比值等于电压矢量LA和耳 间的比值。如果电压矢量的比 值是已知的，便可从已知的Zm推导出Z"在理想电桥中比例UJU2是一个系数K,这样Zk = KZm, 实际上Zm的幅角直接给出汲，

变压器电桥比西林电桥有很大的优点，它允许将屏蔽和保护电极直接接地且不需要附加的辅助 桥臂。

这种电桥可在从工频到数十MHz的频率范围内使用,比西林电桥使用的频率范围宽，由于频率 范围的不同，桥的具体结构也不相同.

A.2.2低频电桥

通常是一个高压电桥（更精密，电压顷 是高压，以是中压），这种电桥的技术与变压器的技术有关。 可采用两类电源：

1） 电源电压直接加到一个绕组上，另一个绕组则起变压器次级绕组的作用。

2） 将电源加到初级绕组上（见图A.3）,而电桥的两个绕组是由两个分开的次级线路组成或是由 一个带有中间抽头能使获得电压，和以 的次级绕组组成.

与所有的测量变压器一样，电桥存在误差（矢量比U} /U2与其理论值之间的差儿 这种误差随负载 而变化，尤其是Ui和以之间的相位差，它会直接影响ta海的测量值。

因此，必须对电桥进行校正，这可以用一个无损耗电容Cn（与在西林电桥中使用的相似）代替Zx进 行.如果d与a的值相同，这实际上是替代法，测试前应校正。但由于&很少是可调的，因此负载 的变化对公不再有效。电桥在恒定负载下工作是可能的，如图A. 4所示：当测量嵐时，用一个转换开 关把6接地，反之亦然。这时对于高压绕组来说两个负载的总和是恒定的。（严格地说，低压边也应 该用一个相似的装置，但由于连在低压边的负载很小，尽管采用这样处理很容易，但意义小。）

另外，若用并联在电压上的一个纯电容*校正时，承受电压以 的测量阻抗Zm组成如下：

1） 如果以 和，是同相的（理想情况），则用一个纯电容Cm组成。

2） 如果U2超前Un则用一个电容Cm和一个电阻Rm组成。

3） 如果以滞后于Un则电阻Rm应变成负的。这就是说，为了重新建立平衡必须在U] 一边并 人一个电阻形成电流分量，其实并不存在适用于高压的可调高电阻，因此通常阻性电流分量 是用一个辅助绕组来获得的，这个辅助绕组提供一个与U]同相的低电压图A. 5）。

注：不可在d上串接一个电阻。因为如果将电阻接在电容器后面会破坏Cn测量极和保护极间的等电位；如果将 电阻接到前面的高压导线上，则电阻（内）电流也将包括保护电路的电流，这就可能无法校正。

这些论述同样适用于上述第二种情况的电阻Rm。但在低压边容易将三个电阻R、足 和F以星形联接来

变压器介质损耗测试仪式中：

AChCh的增量。

在50 kHz到50 MHz的频率范围内能方便地设计这种网络，这种网络也容易有效地屏蔽。但其缺 点是平衡随频率的变化太灵敏，以致于电源频率的谐波很不平衡。为了能拓宽频率范围，必须改变或换 接电桥元件，在较高频率下接线和开关阻抗（若使用开关时）会引入很大的误差。

A* 4谐振法（Q表法）

谐振法或Q表法是在10 kHz到260 MHz的频率范围内使用。它的原理是基于在一个谐振电路 中感应一个已知的弱小电压时，测量在该电路出现的电压。图A. 8表示这种电路的常用形式，在线路 中通过一个共用电阻R将谐振电路耦合到振荡器上，也可用其他的耦合方法。

操作程序是在规定的频率下将输入电压或电流调节到一个已知值，然后调节谐振电路达到大谐 振，观察此时的电压U八 然后将试样接到相应的接线端上，再调节可变电容器使电路重新谐振，观察新 的电压S的值。

在接入试样并重新调节线路时，只要见图A. 8）其总电容几乎保持不变。试样电容近似于 △G即是可变电容器电容的变化量。

试样的损耗因数近似为：

"泌& 余（*一£）  A.9）

式中：

G——电路中的总电容，包括电压表以及电感线圈本身的电容；

Q】、Q°——分别为有无试样联接时的Q值。

测量误差主要来自两台指示器的标定刻度以及在连线中尤其是在可变电容器和试样的连线中所引 入的阻抗。对于高的损耗因数值的条件可能不成立，此时上面引出的近似公式不成立.

A.5变电纳法（变电抗法）

图1所示的测微计电极系统是哈特逊（Hartshorn）改进的，被用于消除在高频下因接线和测量电容 器的串联电感和串联电阻对测量值产生的误差。在这样的系统中，是由于在测微电极中使用了一个与 试样连接的同轴回路，不管试样在不在电路中，电路中的电感和电阻总是相对地保持恒定。夹在两电极 之间的试样，其尺寸与电极尺寸相同或小于电极尺寸，除非试样表面和电极表面磨得很平整，否则在试 样放到电极系统里之前,必须在试样上贴一片金属箔或类似的电极材料。在试样抽出后，调节测微计电 极，使电极系统得到同样的电容。

按电容变化仔细校正测微计电极系统后，使用时则不需要校正边缘电容、对地电容和接线电容。其 缺点是电容校正没有常规的可变多层平板电容器那么精密且同样不能直接读数。

在低于1MHz的频率下，可忽略接线的串联电感和电阻的影响，测微计电极的电容校正可用与测 微计电极系统并联的一个标准电容器的电容来校正，

在接和未接试样时电容的变化量是通过这个电容器来测得。

在测微计电极中，次要的误差来源于电容校正时所包含的电极的边缘电容，此边缘电容是由于插入 一个与电极直径相同的试样而稍微有所变化,实际上只要试样直径比电极直径小2倍试样厚度，就可 消除这种误差。

首先将试样放在测微计电极间并调节测量电路参数。然后取出试样，调节测微计电极间距或重新 调节标准电容器来使电路的总电容回到初始值。

按表2计算试样电容C吳

损耗因数为：

也响=（七云"  （a.io）

式中：

△G——接入试样后，在谐振的两侧当检测器输入电压等于谐振电压的也/2时可变电容器

（图1）的两个电容读数之差。

△G—在除去试样后与上述相同情况下的两电容读数差.

值得注意的是在整个试验过程中试验频率应保持不变。

注；贴在试样上的电极的电阻在髙频下会变得相当大，如果试样不平整或厚度不均匀，将会引起试样损耗因数的明 显增加。这种变得明显起来的频率效应，取决于试样表面的平整度，该频率也可低到10 MHzt因此，必须在 io MHg及更高的频率下，且没有贴电极的试样上做电容的损耗因数的附加测量，假设Cw和tan<5w为不贴电 极的试样的电容和损耗因数，则计算公式为：

tanB = ^-tan^w  （ A. 11 ）

Cw

式中：

Cw-…带电极的试样电容。

A. 6屏蔽

在一个线路两点之间的接地屏蔽，可消除这两点之间的所有的电容，而被这两个点的对地电容所代 替，因此，导线屏蔽和元件屏蔽可任意运用在那些各点对地的电容并不重要的线路中；变压器电桥和带 有瓦格纳接地装置的西林电桥都是这种类型的电路。

从另一方面来说,在采用替代法电桥里，在不管有没有试样均保持不变的线路部分是不需要屏 蔽的。

实际上，在电路中将试样、检测器和振荡器的连线屏蔽起来。并尽可能将仪器封装在金属屏蔽里, 可以防止观察者的身体（可能不是地电位或不固定）与电路元件之间的电容变化.

对于100 kHz数量级或更高的频率，连线应可能短而粗，以减小自感和互感；通常在这样的频率下 即使一个很短的导线其阻抗也是相当大的，因此若有几根导线需要连接在一起，则这些导线应尽可能的 连接于一点。

如果使用一个开关将试样从电路上脱开，开关在打开时它的两个触点之间的电容必须不引入测量 误差，在三电极测量系统中，要做到这点，可以在两个触点间接入一个接地屏蔽，或是用两个开关串联, 当这两个开关打开时，将它们之间的连线接地，或将不接地且处于断开状态的电极接地。

A.7电桥的振荡器和检测器

A. 7, 1交流电压源

满足总谐波分量小于1%的电压和电流的任一电压源。

A.7.2检测器

下列各类检测器均可使用，并可以带一个放大器以增加灵敏度：

1） 电话（如需要可带变频器）；

2） 电子电压表或波分析器；

3） 阴极射线示波器；

4） “电眼”调节指示器；

5） 振动检流计（仅用于低频）。

在电桥和检测器中间需加一个变压器，用它来匹配阻抗或者因为电桥的一输出端需接地。

谐波可能会掩盖或改变平衡点，调节放大器或引入一个低通滤波器可防止该现象。对测量频率的 二次谐波有40 dB的分辨率是合适的，

A.8频率范围

 1西林电桥电路图

具有瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥变压器电桥，恒载校正虚线：与Cm并联形成一个高电阻（当A超前于11时）变压器电桥，当既滞后于V时的补偿（用绕组仏）检测器并联T型网络的电路原理图并联T型网络的实际线路图谐振法的电路图