降低容性损耗Behlke MOSFET 低耦合电容件

●具有真正继电器特性的多功能高压开关

●TTL信号可控制导通时间

●由于耦合电容较低，简化了EMC并降低了容性损耗

●LC2技术具有最高的瞬态抗扰度

应用笔记一:

C3产品组的开关针对控制侧和接地的耦合电容进行了优化。低耦合电容是高重复率下高效工作的关键。考虑到低噪声发射、良好的EMC行为、稳定的操作和高开关速度，减小的耦合电容也是期望的。LC和LC2开关都能很好地满足这些要求。但如果是最高开关频率(%3E 300千赫)，那么开关系列LC是不错的选择。LC系列的缺点是其有限的瞬态抗扰性，这使得它们对火花放电、短路、不稳定的负载和不稳定的输入电压相对敏感。与此相反，LC2系列开关设计用于恶劣工作条件下的中等开关频率(%3C 300 kHz)。LC2开关对不稳定负载(例如等离子体负载)和不稳定输入电压不敏感。在其散热能力范围内，它们可以抵抗火花放电、短路和过压瞬变。

应用笔记二:

BEHLKE固态开关具有上升和下降时间。如果您的应用不需要全切换速度，我们建议您使用速度限制选项S-TT(上升和下降时间大约慢。50%)，结合输入低通滤波器选项LP。速度限制选项有助于最小化快速高压脉冲电路的高频困难(例如自振荡、自重新触发、振铃等)。)并从总体上简化EMC设计。

应用附注三:

快速MOSFET开关对来自未箝位感性负载或过度布线电感的反向电流相对敏感。

反向电流可能会以不确定的方式开启缓慢的本征(寄生)MOSFET二极管，并可能导致灾难性的开关故障，尤其是在关断阶段以及高关断电流期间。因此，当感性负载或高感性布线连接到开关时，建议始终将MOSFET开关与快速续流二极管网络(快速串联阻塞二极管+并联快速续流二极管)结合使用。

这种保护二极管网络可以通过BEHLKE FDA系列的单个二极管安装在外部。它也可以作为选项I-FWDN集成到交换模块中。请仔细阅读一般说明。

产品代码:

型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。前几个数字代表以kV为单位的电压，破折号前的最后一个数字表示导通行为(0 =固定导通时间，1 =可变导通时间)。破折号后的数字表示电流，单位为安培x10。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。 HTS 31-12-LC示例:HTS =高压晶体管开关，3 = 3 kV，1 =可变导通时间，12 = 120安培，LC =低耦合电容。

降低容性损耗Behlke MOSFET 低耦合电容件

LC2开关。强大、稳健和短暂的证明。请向下查看选项列表。

产品组C3 - MOSFET，可变导通时间，低耦合电容

1)  HTS 901-10-LC2，采用高压瞬变防护LC2技术的低电容MOSFET开关。该开关旨在满足非常苛刻的工业要求。隔离电压%3E 150千伏
(可选高达300 kV)。带有内置控制单元(可更换)。90千伏直流电，100安导通电阻%3C 40欧姆。开启上升时间%3C50 ns。
2)  HTS 901-10-LC2，同上，但带有选项SEP-C(独立控制单元)和选项DLC(直接液体冷却)。
HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET开关，带选项th(管状外壳)和选项DLC(直接液体冷却)。100千伏直流电，200安一包。上升时间%3C最大50 ns。功耗30千瓦

汉达森*田*永*福

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