富士IGBT模块型号2MBI400N-060原装现货

       IGBT在变频器中的应用：由 于IGBT模块MOSFET结构,IGBT网格通过一层氧化膜和发射器实现电气隔离。由于氧化膜非常薄,其击穿电压一般20 ~ 30 v .因此引起的静态电网故障的常见原因之一IGBT的失败。因此使用应注意以下几点:使用模块时,不要触摸驱动器终端部分,当必须触摸模块终端静电对人体或 衣服大电阻接地放电后,再次触摸;与导电材料模块驱动程序终端连接,连接没有连接之前请不要插入模块;地板的条件下尽可能好的接地操作。有时,尽管在应用 程序以确保门驱动电压不超过电网大额定电压,但网格之间的寄生电感和电容耦合连接网格和收藏家,也会产生氧化层损坏的振荡电压。为此,通常由双绞线传输 信号,以减少寄生电感。小电阻串联在电网连接也可以抑制振荡电压。此外,在开放的栅极,如果电极间的电压和收集器和发射,电极电位的变化,由于泄漏电流流 经收集器,更高的栅极电压,电流流经收集器。此时,如果收藏家和发射电极的高电压,它可以使IGBT发烧时损坏。IGBT的使用场合,当栅极电路正常或栅 极电路损坏(网格在开路状态),如果在主电路和电压,IGBT将受损,为了防止此类故障,应该是门和发射极之间串接一个10 kΩ阻力。安装或更换IGBT模块的时候,我们应该高度重视的接触状态IGBT模块与散热器和收紧。为了减少接触热阻,散热器和IGBT模块之间的佳热 导电硅胶。一般散热器安装在底部的冷却风扇,当散热器冷却的冷却风扇损坏坏热将导致IGBT模块,和失败。定期检查冷却风扇,通常在附近的散热器IGBT 模块配备温度传感器,当温度太高会提醒或停止IGBT模块的工作。

富士IGBT模块型号齐全*原装现货，型号详细说明：

 富士IGBT模块型号2MBI400N-060原装现货

一、1MBI系列富士IGBT/fuji IGBT（一单元），部分型号如下：
  1MBI1200UC-120 1MBI150NH-060B 1MBI150NK-060 1MBI1600UC-120  1MBI200F-120  1MBI200L-120  1MBI200N-120  1MBI200NH-060      1MBI200NK-060  1MBI200S-120  1MBI2400UD-120 1MBI300F-060  1MBI300F-120  1MBI300JN-120  1MBI300JP-120  1MBI300L-060      1MBI300L-120  1MBI300N-120  1MBI300NN-120  1MBI300NP-120  1MBI300S-120  1MBI300U4-120  1MBI300U4H-120  1MBI3600UD-120      1MBI400F-060  1MBI400JN-120  1MBI400JP-120  1MBI400L-060  1MBI400L-120  1MBI400N-120  1MBI400NN-12 1MBI400NP-120 
  1MBI400S-120  1MBI400U-120  1MBI600LN-060  1MBI600LP-060  1MBI600N-060  1MBI600NN-060  1MBI600NP-060  1MBI600PX-120      1MBI600PX-140  1MBI800PN-180  1MBI800U4B-120  1MBI800U4B-120  1MBI800UB-120