基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装

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2024-09-25 16:00:36
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上海攸亦光电科技有限公司

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产品简介

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装,硅ARC窗口:适用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的经济型红外辐射源。该发射器仅需250毫瓦输入功率,也适合于移动和手持设备。这款基于CMOS的红外辐射源的膜片能够达到高达800°C的温度,具有长期稳定的辐射功率和短的时间常数。对于高容量应用,如楼宇空调、自动化等,JSIR340因其出色的性价比而非常适合。

详细介绍

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

描述

适用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的经济型红外辐射源。该发射器仅需250毫瓦输入功率,也适合于移动和手持设备。这款基于CMOS的红外辐射源的膜片能够达到高达800°C的温度,具有长期稳定的辐射功率和短的时间常数。对于高容量应用,如楼宇空调、自动化等,JSIR340因其出色的性价比而非常适合。

带有反射器的封装适合从2厘米的距离进行测量。MEMS发射器芯片由多层热板膜组成,包含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片基于硅衬底,采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。

应用

l非色散红外气体检测

l衰减全反射光谱法

l直接红外光谱法

l光声光谱法

目标气体

l二氧化碳(CO2)

l甲烷(CH4)

l丙烷(C3H8)

l乙醇(C2H5OH)

l其他红外活性气体

特点

l成本效益高的组件

l标准MEMS技术

l与CMOS兼容的制造工艺

l热板温度高达740 °C

l适当的辐射输出

l由于热质量低,调制深度高

技术参数

技术参数

数据

单位

光谱输出范围

2-15

μm

有效面积

1.0x 1.0

mm²

耐热1

25± 5

Ω

温度系数2

typ.1 000

ppm/K

时间常数0-63%

typ.7

ms

标称功耗3

300

mW

工作电压4

typ.2.5

V

工作电流4

typ.100

mA

推荐驱动模式

Power   mode

活动区域温度1,5,6

610± 30

°C

窗口

w/o

外壳

TO46

预计使用寿命7,8

>5 000 h at 740 °C

>100 000 h at 610 °C

绝对最大额定值

输入功率3,5

400

mW

外壳温度8

200

°C

活动区域温度

740

°C

1. 额定功率下的单位

2. 25°C - 700°C

3. 功率开启状态

4. 带有25Ω热电阻

5. 环境温度为25°C时

6. 通过红外相机(0.7-1.1μm)测量的热点温度降低10%后的温度分布平均值

7. 连续模式下,平均排除障碍时间(MTTF)为63%(膜断裂,基于阿伦尼乌斯定律的计算值)

8. 包括环境温度

典型操作特性

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

电气示意图

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

电路

等效电路图

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

机械制图

底部

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

截面图-TO46反射器开放式

基于C-MOSI的红外辐射源,SMD封装 

产品概述

型号

类型

填充气体

低温度

最高温度

光圈

窗口

JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0

TO46 with reflector

None

-20 °C

180 °C

2.55 mm

Open

 

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