技术参数：

HMDS预处理系统的必要性：

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要，光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形

转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS（六甲基二硅氮烷）可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS真空干燥箱 HMDS预处理系统 

HMDS预处理系统的原理：

HMDS预处理系统通过对真空干燥箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS真空干燥箱 HMDS预处理系统 

HMDS预处理系统的一般工作流程：

先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氨气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氨气的过程，到达设定的充入氢气次数后，开始保持一段时间，使硅片宁怀仪器充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氨气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃－200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醒，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻（三甲基硅烷基较大）阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理，