碳化硅晶体，SiC，六方晶系

中文名称：碳化硅晶体

化学式：SiC

分子量：40.096

CAS号：409-21-2

密度：3.21g/cm³

外观：黄色至绿色，至蓝色至黑色晶体，取决于其纯度

水溶性：不溶

应用：用于磨料、耐磨剂、磨具、高级耐火材料，精细陶瓷

生长方法：MOCVD

晶体结构：六方

晶格常数：a=3.07c=15.117

方向生长：生长轴或偏4°

带隙：3.02eV(间接)

硬度：9.2(mohs)

密度：3.21g/cm3

热传导@300K:3-5*10W/m

介电常数：e(11)=e(22)=9.66e(33)=10.33

厚度：0.35mm和0.5mm

抛光：单面或双面

晶向：±0.5°或偏4°

晶面定向精度：±0.5°

边缘定向精度：2°(特殊要求可达1以内)

斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1-45°)的晶片5A

碳化硅晶体，SiC，六方晶系

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以罕见的矿物莫桑石的形式存在。现在已被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅是应用广泛、经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。

SiC是一种的二元化合物半导体材料，其晶体结构的基本单元为一个四重对称性的四面体，即SiC4或CSi4，相邻的两个Si原子或两个C原子之间的距离是3.08Å，而相邻的C原子和Si原子之间的距离仅约1.89Å。在SiC晶体中，Si和C原子通过在sp3杂化轨道上共享电子对形成非常强的四面体共价键(键能为4.6eV)。

纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。α-SiC是常见的晶型，β-SiC属立方晶系，又名立方碳化硅。直到现在，β-SiC的商业用途相对较少，尽管由于其比α-SiC具有更高的表面积，可以将其用作多相催化剂的载体。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产晶。

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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2024.1.11.         

以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。