HSPR-X-I-1G4-SI兆赫兹硅光电探测器

通过将**的光电二极管与经过验证的出色的FEMTO GHz放大器技术相结合，我们设计了一系列具有**性能的新型光电接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的带宽上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管，光谱范围分别为320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器设计，ZUI小NEP仅为11pW√Hz，互阻抗为5 x 103 V / A. 这允许以GHz速度测量μW范围内的光功率水平。

实验应用：

光谱

快速脉冲和瞬态测量

光学触发

用于示波器和A / D转换器的光学前端（O / E转换器）

HSPR-X-I-1G4-SI兆赫兹硅光电探测器

超快光接收器系列hspr-x和hsa-x-s系列特征

Si-PIN和InGaAs-PIN光电二极管

波长范围为320至1700 nm

超宽带宽，从10 kHz到2 GHz

ZUI大转换增益4.75 x 103 V / W.

ZUI小NEP 11 pW /√Hz

通过将**的光电二极管与经过验证的出色的FEMTO GHz放大器技术相结合，我们设计了一系列具有**性能的新型光电接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的带宽上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管，光谱范围分别为320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器设计，ZUI小NEP仅为11pW√Hz，互阻抗为5 x 103 V / A. 这允许以GHz速度测量μW范围内的光功率水平。