III-V族短波红外探测器
III-V族短波红外探测器
III-V族短波红外探测器

PVA-3-d1.2-SMDIII-V族短波红外探测器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-03-20 11:13:47
1767
属性：
产地类别:进口；价格区间:面议；应用领域:环保,化工,能源,电子,航天；波长响应范围：:1.3-3.6微米；工作温度：:室温；封装形式：:SMD；峰值电流响应率：:Ri>0.6A/W（典型）；峰值探测率：:D*>3.0E9；
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产品属性
产地类别
进口
价格区间
面议
应用领域
环保,化工,能源,电子,航天
波长响应范围：
1.3-3.6微米
工作温度：
室温
封装形式：
SMD
峰值电流响应率：
Ri>0.6A/W（典型）
峰值探测率：
D*>3.0E9
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北京北埃特光电子技术有限责任公司

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产品简介

III-V族短波红外探测器光敏材料为InAs，采用SMD封装，波长响应为1.3-3.6微米，工作在室温环境，适合用于CO、HF、NH3、C2H2、CH4、C2H6、HCI等气体探测。

详细介绍

III-V族短波红外探测器光敏材料为InAs，符合严苛的欧洲环保标准；采用SMD封装，小型可靠易于安装；波长响应为1.3-3.6微米、覆盖从短波到中波红外；线性响应范围宽，响应功率从1微瓦到数毫瓦；无需制冷工作在室温环境；适合用于CO、HF、NH3、C2H2、CH4、C2H6、HCI等气体探测。

III-V族短波红外探测器的主要技术指标：

工作环境温度：20 摄氏度；

波长响应：1.3-3.6微米

峰值响应波长：2.9微米；

峰值电流响应率Ri：0.6 A/W;

峰值探测率D*：>3.0x109

1.3微米处响应率：>10%峰值响应率；

3.6微米处响应率：>10%峰值响应率；

响应时间：<45 纳秒

封装：SMD；

入射角：>115 度




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