Ge 锗大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）_Ge锗光电二极管-筱晓（上海）光子技术有限公司手机版

详细介绍

Ge 锗大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔

光谱响应

800-1800nm

感光规格

5mm Ø

响应度

@1550nm 0.85 A/W

技术参数

产品特点

小光敏面大光敏面可选 (100µm to 25mm)

800nm to 1800nm 光谱响应

高线性 > 10 dBm

可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

产品应用

激光功率计

LED/LD老化诊断

光谱学

LED/LD特性

眼睛安全激光检测传感器

参数规格
探测材料	Ge
响应波长	800 - 1800 nm
峰值波长	1550 nm (Typ.)
响应度	0.85 A/W (Typ.)
光敏面直径	19.6 mm2 (Ø5 mm)
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)	220 ns / 220 ns (Typ.)
NEP, Typical (1550 nm)	4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)
暗电流 (5 V)	60 µA (Max.)
电容(10 V) 电容(0 V)	1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)
分流电阻	4000 Ohm (Typ.)
封装形式	TO-8
最大击穿打压	10 V
操作温度	-55 to 60 °C
存储温度	-55 to 60 °C