1064nm 铌酸锂高频相位调制器(40GHZ电光带宽)

1064nm 铌酸锂高频相位调制器(40GHZ电光带宽)

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-06-02 16:13:16
667
属性:
产地类别:进口;价格区间:面议;应用领域:化工,建材,电子;组成要素:半导体激光器产品及设备;
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产品属性
产地类别
进口
价格区间
面议
应用领域
化工,建材,电子
组成要素
半导体激光器产品及设备
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筱晓(上海)光子技术有限公司

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产品简介

1064nm 铌酸锂高频相位调制器(40GHZ电光带宽)

详细介绍

总览

1310/1550nm 铌酸锂(LiNbO3)高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导,输入输出光纤与波导精密斜耦合,利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散(Ti-indiffusion)或质子交换(APE)波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。


1064nm 铌酸锂高频相位调制器(40GHZ电光带宽)  ,1064nm 铌酸锂高频相位调制器(40GHZ电光带宽)  
产品特点

低插入损耗

低驱动电压

钛扩散或质子交换波导

优异的长期稳定性


产品应用

 光纤通信

 微波光子

 量子通信

 光学传感

 光学啁啾


通用参数


参数

单位

最小值

典型值

最大值

型号


PM-1064/1310/1550-40G-PM-FA

半波电压DC直流电极

V


3.5

5.0

电光带宽S21@-3dB

GHz

10


40

RF 半波电压@DC

V


3.5

5.0

偏置半波电压

V



5.0

抖动

dB


0.5

1

电回波损耗S110-20GHz

dB


-12

-10

射频连接器输入电阻

Ω


40


输入阻抗直流连接器

Ω


>1M


晶体:Lithium Niobate

.

X-cut Y-propagation

波导制作(waveguide process)


APE工艺

插入损耗

dB


3.0

4.0

光回波损耗

dB


<-45


波长相关损耗(1480-1600nm)

dB


0.5

1.0

直流(DC)消光比

dB

20

22


输入光纤


Panda保偏光纤1.5米长,900um

输出光纤


SMF-28单模光纤1.5米长,900um(PMF可选)

输入RF连接器


SMA

DC连接器


Pin feed-through直径:1.0mm

封装尺寸

mm

110 x12.5 x9.0

工作温度

0~ +70

存储温度

-40 ~ +85

DC输入最大电压

V

±20

最大RF输入功率

dBm

+28

最大输入光功率

mW

200(APE工艺)






订购信息

PM-W-BW-Y-Z-AB-CD

PM:Phase Modulator

 

W波长: 

0850: 850nm

1064: 1064nm

1310:1310nm

1550: 1550nm

 

BW:电光带宽 

0.3G代表>300MHz

10G代表>10GHz

40G 代表>40GHz

Y: 输入光纤

P: 代表偏振保持光纤

S: 代表单模光纤

 

Z:输出光纤

P: 代表偏振保持光纤

S 代表单模光纤

 

AB:输入光纤连接器 

00 代表裸光纤

FA 代表FC/APC

FC 代表FC/SPC

 

CD:输出光纤连接器 

00 代表裸光纤

FA 代表FC/APC

FC 代表FC/SPC



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