一、双腔室超高真空磁控溅射系统核心参数：  

仪器种类：磁控溅射 

产地类别：国产  

应用领域：微电子学  

基片尺寸：4寸（可定制）  

靶材：钽  

基片温度范围：RT-900ºC  

成膜厚度均匀性：基板刻蚀均一性<3%  

极限真空：极限真空UltimatePressure<3E-9Torr  

二、磁控溅射技术原理：  

在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。  

三、双腔室超高真空磁控溅射系统技术特点：  

成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好 

四、售后服务：  

保修期：1年  

是否可延长保修期：否  

现场技术咨询：有  

免费培训：1.设备出厂前，提供至少2人一周的设备原厂培训。2.设备在现场完成安装调试  

免费仪器保养：有需要可安排  

保内维修承诺：保修期内（除天灾和人为损害外）部件、元件费用、出差费用均由我司承担  

报修承诺：质保期内出现故障时我司将及时响应，并在8小时内派技术人员到现场解决故障；  

五、技术参数：  

六、工艺展示：