GM10/100/1000正极材料包覆
正极材料包覆(Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 参考价面议GM100/1000粉末原子层沉积设备
粉体包覆(Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 参考价面议QBT-T双腔体高真空等离子体原子层沉积系统
双腔体高真空等离子体原子层沉积系统是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 参考价面议QBT-E蒸镀设备
厦门韫茂科技有限公司为您提供双腔室超高真空双倾角蒸镀PVD系统的参数、价格、型号、原理等信息,产地为福建、品牌为韫茂,型号为QBT-E,价格为150万-200万RMB,更多相关信息可咨询,公司客服电话7*24小时为您服务。 参考价面议QBT-I量子镀膜设备
厦门韫茂科技有限公司为您提供QBT-I 量子镀膜设备的参数、价格、型号、原理等信息,QBT-I 产地为福建、品牌为韫茂,型号为QBT-I ,价格为150万-200万RMB,更多相关信息可咨询,公司客服电话7*24小时为您服务。 参考价面议QBT-P双腔室超高真空磁控溅射系统
双腔室超高真空磁控溅射系统QBT-P配备进样室及溅射腔室,溅射室配备离子刻蚀功能,腔室内配备超高真空传输,设备真空度≤3E-9Torr,基板加热900℃,可制备超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等薄膜 参考价面议QBT-E约瑟夫森结镀膜设备
厦门韫茂科技有限公司为您提供约瑟夫森结镀膜设备的参数、价格、型号、原理等信息,产地为福建、品牌为韫茂,型号为QBT-E,价格为150万-200万RMB,更多相关信息可咨询,公司客服电话7*24小时为您服务。 参考价面议QBT-J超高真空镀膜设备
超高真空镀膜设备系统专业制备约瑟夫森结制备,可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层,确保高性能制备及高成品率。 参考价面议QBT-E电子束蒸发镀膜厂家
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磁控溅射镀膜机厂家在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。 参考价面议Mini Desktop ALDPALD厂家
桌面式原子层沉积系统PALD厂家(Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 参考价面议PEALD
双腔室高真空等离子体PEALD系统是对ALD技术的扩展,通过等离子体的引入,产生大量活性自由基,增强了前驱体物质的反应活性,从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求,缩短了反应周期的时间,同时也降低了对样品沉积温度的要求,可以实现低温甚至常温沉积,特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。 参考价面议