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绵阳市所在地
简介
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备可靠性。
特性 应用
100ns级高速响应 通道间光功率均衡或阻塞
多至48通道单片集成 模拟信号调制
全固态波导芯片
超低光损耗
主要指标（典型值）
性能指标 | 单位 | 吸收型 | 备注 |
工作波长 | nm | 1525～1565 | |
响应时间 | ns | 100-300 | |
插入损耗 | dB | 1.2 | 光纤进到光纤出的损耗 |
衰减范围 | dB | 25 | |
偏振相关性 | dB | ≤0.3 | @0dB衰减时 |
≤0.5 | @0~25dB衰减时 | ||
功耗(@18dB衰减) | mW | 150 | 随衰减量增大而增大 |
电压 | V | 1.2 | |
电流 | mA | 0-35 | |
集成度 | / | 6CH/48CH |
高速纳秒光衰减器厂家直供
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