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1064nm电光强度调制器
1064nm铌酸锂电光强度调制器采用优良的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤功率等特点，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。
产品特点 应用领域
带宽2.5G，10G可选 光纤传感系统
低半波电压 脉冲光调制系统
高损伤功率＞100mW 脉冲光发生器
低插入损耗 模拟传输链路
性能参数：
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
光学参数 | ||||||
工作波长 | l | 980 | 1060 | 1150 | nm | |
插入损耗 | IL | - | 4 | 5 | dB | |
光回波损耗 | ORL | -40 | -45 | - | dB | |
开关消光比@DC | ER@DC | 20 | 23 | - | dB | |
动态消光比 | DER | 12 | 13 | dB | ||
光纤 | 输入端 | PM fiber 980 nm | ||||
输出端 | PM fiber 980 nm | |||||
光纤接口 | FC/PC、FC/APC或用户 | |||||
电学参数 | ||||||
工作带宽（-3dB） | S21 | 0.01~2.5、0.01~10 | GHz | |||
带宽波动 | DS21 | - | 0.5 | 1 | dB | |
半波电压Vpi | RF | Vπ@50kHz | - | 4 | 4.5 | V |
Bias | Vπ@Bias | - | 5 | 6 | V | |
电回波损耗 | S11 | - | -12 | -10 | dB | |
输入阻抗 | RF | ZRF | 50 | W | ||
Bias | ZBIAS | 1 M | W | |||
电接口 | SMA(f) | |||||
管脚定义（不带PD） | 1,2 Bias, 3,4-空 | |||||
极限条件：
参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
输入光功率 | Pin,Max | dBm | 20 | ||
RF端输入功率 | dBm | 28 | |||
Bias端偏置电压 | Vbias | V | -20 | 20 | |
工作温度 | Top | ºC | 0 | 70 | |
储存温度 | Tst | ºC | -40 | 85 | |
湿度 | RH | % | 5 | 90 |
