冠亚制冷 品牌
生产厂家厂商性质
无锡市所在地
半导体温控机 元器件循环制冷机
¥156074模块化数据中心温控-冷却液冷却单元
¥152247半导体晶圆快速冷却系统 芯片散热水冷机
¥156654晶圆冷却腔体测温装置 单晶硅冷却循环装置
¥156654半导体晶圆冷却装置 硅片循环水冷却机
¥156655硅片快速冷却装置 晶圆快速水冷机
¥159039硅片冷却装置 单晶硅冷却冷冻机 冷水机
¥159399电子元器件循环制冷机 半导体温控机
¥156595集成电路板循环制冷机 水冷散热模组
¥156590分析装置制冷机 Chiller半导体温控机
¥156594半导体制作过程制冷机 温控机Chiller
¥156094元器件循环制冷机 半导体制作过程水冷机
¥156077主要产品包括半导体专⽤温控设备、射流式⾼低温冲击测试机和半导体⽤⼯艺废⽓处理装置等⽤设备,
⼴泛应⽤于半导体、LED、LCD、太阳能光伏等领域。
半导体专温控设备
射流式⾼低温冲击测试机
半导体专用温控设备chiller
Chiller气体降温控温系统
Chiller直冷型
循环风控温装置
半导体⾼低温测试设备
电⼦设备⾼温低温恒温测试冷热源
射流式高低温冲击测试机
快速温变控温卡盘
数据中心液冷解决方案
型号 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
温度范围 | 5℃~40℃ | ||||||
控温精度 | ±0.1℃ | ||||||
流量控制 | 10~25L/min 5bar max | 15~45L/min 6bar max | 25~75L/min 6bar max | ||||
制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
内循环液容积 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
膨胀罐容积 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
制冷剂 | R410A | ||||||
载冷剂 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 (DI温度需要控制10℃以上) | ||||||
进出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
冷却水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
冷却水流量at20℃ | 1.5m³/h | 2m³/h | 2.5m³/h | 4m³/h | 4.5m³/h | 5.6m³/h | 9m³/h |
电源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
温度扩展 | 通过增加电加热器,扩展-25℃~80℃ |
Chillers半导体控温装置 模块循环制冷机
Chillers半导体控温装置 模块循环制冷机
集成电路晶圆制造Chiller在半导体制造工艺中作为一种制冷加热动态控温设备,可以用在不同的工艺中,以下是在半导体制造工艺中的应用:
1、氧化工艺:在氧化工艺中,需要将硅片放入氧化炉中,并在高温下进行氧化反应。集成电路晶圆制造Chiller可以控制氧化炉的温度和气氛,以确保氧化反应的稳定性和均匀性。
2、退火工艺:在退火工艺中,需要将硅片加热到一定温度,并保持一段时间,以消除晶格中的应力并改善材料的性能。集成电路晶圆制造Chiller可以控制退火炉的温度和时间,以确保退火过程的稳定性和可靠性。
3、刻蚀工艺:在刻蚀工艺中,需要将硅片暴露在化学试剂中,以去除不需要的材料。集成电路晶圆制造Chiller可以控制化学试剂的温度和流量,以确保刻蚀过程的稳定性和精度。
4、薄膜沉积工艺:在薄膜沉积工艺中,需要将材料沉积在硅片上,以形成所需的薄膜结构。集成电路晶圆制造Chiller可以控制沉积设备的温度和气氛,以确保薄膜沉积的稳定性和质量。
5、离子注入工艺:在离子注入工艺中,需要将离子注入到硅片中,以改变材料的性质和结构。集成电路晶圆制造Chiller可以控制离子注入设备的温度和电流,以确保离子注入的稳定性和精度。