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PICOSUN™ R-200高级型ALD系统是ALD科研设备市场, 在全球拥有百用户。它已经成为一些创新公司和研究机构的研发 工具。
PICOSUN™ R-200高级型灵活的设计确保沉积高质量的ALD薄膜,超灵活的系统配置也能满足用户未来的需求和应用。的热壁设计、*独立的前驱体管 路和特殊的载气设计, 使得无颗粒沉积广泛 应用于平面晶圆、 3D基片和所有纳米尺度的 材料。即使在具挑战性的多孔材料、超高深 宽比和纳米颗粒表面沉积, 系统都能实现好的均匀性, 这些都归功于我们的技术 Picoflow™。Picosun™R-200高级型系统配备功 能强大和易于更换的液体、气体和固体前驱体源。高效率和拥有的远程等离子选项 可以沉积金属而不发生短路,不存在等离子 体损坏的危险。系统可集成手套箱, 超高真空 系统、手动或半自动加载系统, 集群系统, 粉末反应腔, 卷对卷反应腔和各种在线分析系统, 使您的研究变得高效和灵活。 即使将来您改变研究领域, 它依旧会是帮手!
技术参数:
衬底尺寸和类型
• 50-200 mm/片
• 156 mm x 156 mm 太阳能硅片
• 3D 复杂表面衬底
• 粉末与颗粒
• 小批量
• 多孔, 通孔, 高深宽比(HAR)样品 (最高可达 1:2500)
工艺温度
• 50 – 500 °C ,等离子450°C (650 °C加热盘可定制)
沉积材料
• Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, 以及金属Pt 或者 Ir
基片加载
• 气动升降, 手动装载
• 预真空室安装磁力操作机械手(Load lock)
• 半自动机械装置
• 集群系统的批量装载(Cassette-to-cassette)
前驱体
• 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体
• 6根独立源管线, 最多加载12个前驱体源(加 上 Plasma管路, 共7根独立源管线)
选件
• 集群工具, PICOFLOW™扩散增强器, roll-to- roll腔室、超高真空兼容、 RGA、N2发生器、尾 气处理器、定制设计, 手套箱集成(用于惰性 气体下装载)