nidec压力传感器P-8505

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曝光 通过光照，只有光刻胶膜曝光的部分发生变化，转移到硅片表面。可以说，这个过程需要最细微的技术。然后将其浸入显影剂中，仅溶解硅晶片上的曝光区域。此时剩余的光刻胶膜即为9)的刻蚀掩模。

9）蚀刻

这是用溶液刮掉氧化膜和薄膜的工作。任何剩余的光刻胶都不会被刮掉。有两种类型的蚀刻：使用溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。

10) 抗蚀剂剥离/清洁

剩余的光刻胶通过与化学品和气体的化学反应被剥离。如果您在最后进行清洁，您将拥有预期的电路。

11)

通过添加通过离子注入热处理激活的杂质离子，可以改变半导体的特性。

12) Silicon wafer smoothing

Silicon wafer本身可能因为涂了一层薄膜而有凹凸不平，所以要重新打磨。通过重复从 7) 

-60

　°C 的过程控制。（镜面型）露点仪

④ 过程和无尘室需要相对湿度水平控制的

　⇒ 简单的 EE060

⑤ 需要大量水分并需要控制恒定水分的过程

　⇒ 主要在高温和高湿度下测量 EE33 带防结露措施的温湿度计

氧气浓度测量

(1) 需要通过氢气置换

　等去除氧气的工序⇒ 2001LC 原电池式氧气浓度

计，

　可确认 1 ppm 以下。4100