MOS管动态参数测试仪

主要测试能力

1.测试电压：1200 VDC 200（短路电流可达1000A）

2.定时测量：为1 ns

3.漏电流限制监视器

4.MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps

6.Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us

7.MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

8.IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH

9.IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A

测试标准

MIL-STD-750 Series

MOS管动态参数测试仪选项

1.额外的电源供应器

2.额外的测试头

3.大包装适配器

测试仪测试头

1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间

2.ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473

3.ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471

4.ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477

5.ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479

ITC57210 开关时间测试头

此测试头以美军标 MIL-STD-750, Method 3472，验证功率器件MOSFETs,P沟道和N沟道的开关时间。所测量的参数包括 ：Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

ITC57230 栅电荷测试头

ITC57230对功率器件MOSFETs的栅电荷能力以美军标MIL-STD-750, Method 3471进行考验。 先给MOSFET管的栅极加电压，在栅极打开时，把一个恒电流，高阻抗的负载接到MOSFTE管的漏极。当漏极电流攀爬到用户设定的数值时，被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放（或P沟道器件，向源极导通）。通过监视栅电压和波形下各部分的面积便可计算出电荷量。

ITC57250 短路耐量测试头

ITC57250以美军标MIL-STD-750, Method 3479的定义，实行短路耐抗时间测试。在某些电路，如马达驱动电路，半导体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况。此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽。