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磁控溅射镀膜系统
MSR-500Plus
可用于制备金属膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜。在金属或非金属表面通过直流溅射Au、Ag、Cr、Al、Ti、Mg等金属,射频溅射TiO2、ZnO、Al2O3等介质薄膜,既可进行单质金属溅射也可进行反应溅射和共溅射。
系统设计
MSR-500Plus大型磁控溅射镀膜系统由溅射室、磁控溅射靶、DC电源、RF电源、脉冲偏压电源、基片载台、温控系统、真空系统、气路系统、PLC控制系统等组成,机柜一体式设计,可集成手套箱。此外,我们也提供小型桌面式系统,经济适用,节省用户空间。
技术参数
溅射室 | 立式前开门设计,带观察窗。尺寸可定制,SUS304不锈钢。 |
真空系统 | v 分子泵+旋片泵+高真空阀+数显复合真空计 v 极限真空:5×10-5Pa(真空系统选配,本参数只做参考) v 系统漏率:5×10-9Pa.m3/s v 真空恢复:常压至5×10-4 Pa,小于30分钟 |
基片载台 | 转速0-50rpm,负偏压设计 |
样品加载 | 手动或Loadlock加载 |
温度 | 500℃±1℃,PID控温,加热带屏蔽 |
溅射源 | v 靶材尺寸:4’’/6’’/8’’,角度可调,配气动挡板 v 溅射方向:向上或向下溅射 v DC:1000W,RF:300/500/600W v 靶距调整:80~120mm |
工作气路 | 2-4路MFC,可混气,可充入Ar、O2、N2等,气体流量100/50/20 SCCM。 |
镀膜均匀性 | ±5% |