OPTO DIODE红外线发射器SVF360-8M3
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参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-05-20 16:46:14
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价格区间:面议;应用领域:电子,交通,汽车,电气;组件类别:光源;
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应用领域
电子,交通,汽车,电气
组件类别
光源
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天津瑞利光电科技有限公司

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产品简介

光电二极管SVF系列红外(IR)发射器设计用于黑体辐射的脉冲源。可脉冲发射器中的辐射元件是超薄光电二极管专用金属箔,该金属箔被配置为使得来自加热箔两侧的辐射沿着光轴被有效地引导出封装。

详细介绍

OPTO DIODE红外线发射器SVF360-8M3

产品型号:SVF360-8M3

产品介绍

光电二极管SVF系列红外(IR)发射器设计用于黑体辐射的脉冲源。可脉冲发射器中的辐射元件是超薄光电二极管专用金属箔,该金属箔被配置为使得来自加热箔两侧的辐射沿着光轴被有效地引导出封装。箔材料具有0.88的典型发射率,并且在光谱分布上与黑体源非常相似。SVF系列发射器设计为在1000 K的额定高箔片温度下工作。标准SVF系列发射极采用各种箔片厚度和宽度的密封to-5或to-8封装。几种标准窗口材料可用于将输出调整为感兴趣的特定波长范围。SVF系列发射器配有集成反射器。标准抛物面反射器提供近乎准直和均匀的辐射输出。具有不同焦距的各种椭圆反射器也可用于耦合到光纤或其他应用中。

性能特点

黑体辐射的脉冲源

在光谱分布中模拟黑体

超薄金属箔有源元件

用于准直和均匀性的抛物面反射器

典型发射率0.88

技术参数

产地:法国

类型:可脉冲

窗户类型:氟化钙

典型电阻:1.05ohms

封装to-5

典型发射率0.88

辐射元件金属箔

平均故障时间(MTBF):均大于30000小时

额定高箔片温度1000 K

MOSFET:400V单N-channel


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