日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列 特点介绍

利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，

源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。

产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。

日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列 规格参数

ANF-A 系列

粒度分布范围窄

等方状颗粒

高纯度

ANF-S 系列

颗粒形状接近于球形

粒度分布范围窄

高填充率

高热导率（约为氧化铝粉填料的7倍）

高电绝缘性

项目 单位 A-Series S-Series

A-01-F A-05-F S-30 S-50 S80

松密度 g/㎤ 0.36 0.66 1.50 1.65 1.65

热导率 W/mK 180 ~ 200

电气绝缘性 Ω/㎝ >1014

热膨胀系数 X10-6/°C 4 ~ 5

颗粒形状 - 等方形状 球形

利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，

源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。

产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。