牛津仪器 RIE 半导体刻蚀机 Plasmalab 133。刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中常见的工艺之一。本设备支持的晶圆尺寸最大为300mm（330mm基台）RIE设置为GaN刻蚀射频功率：600W，13.56MHz水冷电极：10C-80C终点检测：Verity光发射光谱（200-800nm）带8条气体管线的气体舱，包括以下7个质量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm

射频功率：600W，13.56MHz
水冷电极：10C-80C
终点检测：Verity光发射光谱（200-800nm）
带8条气体管线的气体舱，包括以下7个质量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm