反应离子蚀刻设备机器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。

根据蚀刻技术的不同，等离子体蚀刻技术可以分为三类：纯物理性质的冲击蚀刻、纯化学反应的化学蚀刻和物理化学反应的冲击蚀刻。纯粹的物理冲击显然与溅射物理学相似，氩元素（Ar）是由电离辉光释放而成，利用氩离子的力量，将氩离子阴极微金属冲击在阴极板（晶圆）的位置，冲击通过薄薄的顶层，氩离子陷阱蚀刻以再生轰击，从而加速其实现蚀刻目标。以这种方式轰击粒子实现的蚀刻被称为具有纯物理特性的冲击蚀刻，因为它是将纯能量转化为物理特性。物理性质的优点是激励波明显分离加速和强定向，因此轮廓清晰，转向圈具有良好的宽度和高各向异性。然而，通过纯粹的物理冲击实现蚀刻目标的缺点是，当要蚀刻的薄膜被蚀刻时，暴露在等离子体上的金属涂层也被蚀刻，导致蚀刻的选择性比率很差。这是因为金属离子也会接触到涂层基材，所以刻蚀的终点也需要精密控制，以避免造成基层的破坏。此外，由于受冲击的材料通常是固体颗粒，这种化合物可以沉积在刻蚀膜的表面和侧壁上，导致涂膜下的材料表面出现材料染色。

然后通过等离子体扩散到未拉伸的薄膜和薄膜层材料的表面化学反应基团中，产生化学反应，纯化学反应，化学反应中产生的物质带有高度挥发性，并随着未反应的物质一同被排出反应腔体。纯化学反应蚀刻和湿法蚀刻一样，也有优点和缺点，如良好的刻蚀选择性比率、各向同性的蚀刻、成本低。

反应离子蚀刻设备机器参数