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通过D-Swafer中心切割技术使用GC/MS研究 溶剂中的杂质

时间:2024-10-21      阅读:151

简介 溶剂在制药和食品生产企业因为各种各样的目的被广泛 使用。重要的是,这些溶剂在使用之前,都必须经过精 心的质量控制(QC)测定,以确保其中不含有不安全级 别的杂质。 气相色谱(GC是分析溶剂中杂质的技术,再配上 一台质谱检测器,就可以鉴定其中所含的杂质是什么。 由于许多溶剂都是通过分馏生产而得到,因此杂质将与 溶剂具有相类似的沸点。因而在GC分析中,杂质的保留 时间将与溶剂接近,从而共流出的风险将非常高。 因此,当溶剂被洗脱出来时,如果质谱保持工作状态, 离子源或者检测器的污染可能会导致灯丝损坏的风险大 大增加。本应用文献介绍了一种中心 切割技术,该技术允许所有注射的样 品到达检测器,从而解决了溶剂峰 分离度和潜在的检测器损坏的问题


方法 对于本应用文献,D-Swafer™ Dean’s开关的配置如图 1所示。这是传统的Dean’s开关的配置,能够从第一根 色谱柱流出物直接进行切割,使其进入第二根色谱柱。 12给出了更详细的分析系统和分析条件。 Swafer安装工具软件包,在该软件中包含了产品说明, 确定了连接到FID限流管的几何形状。平衡第二根色谱 柱的流速以使Swafer切换到正常的功能是必要的。


样品 在本应用文献中,分析了5个来源于不同供应商的分析 二氯甲烷(DCM)及1个乙酸乙酯样品。 


结果 随着Swafer开关电磁阀(V4)关闭,从色谱柱1流出物 直接进入检测器1-火焰离子化检测器(FID)。图2显示 了一个DCM样品在FID检测器上观测到色谱图。 在全V41出的 22MS4DCM3杂质化合物的灵敏度明显优于FID。 


由图4可以看出,在溶剂的主峰附近可能掩盖了一些较 小的色谱峰。 

……

结论 边缘切割和中心切割技术提供了一个全面和可信的 方法,以检测溶剂中低含量杂质。虽然溶剂峰切割 过程需要几个重复相同的样品色谱图,这些运行程 序需要的时间都是相当短且等温的,因此全部的分 析时间仅仅需要50min。这段时间是必需的,在绘 制出这些难分析组分的谱图。在本文献中研究的样 品,在切割色谱中,仅发现了有两个额外的峰,因 此该方法可以只优化受中心切割影响的那部分,减 少必要的运行数量。 虽然我们仅证明了该项技术在二氯甲烷和乙酸乙酯 样品中的应用,但是同样的方法可以扩展到其他溶 剂,和有兴趣鉴定、定量低浓度水平且与其它相对 较强色谱峰共流出的化合物的其它任何样品。

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