多晶硅超声波清洗机产品介绍   1、机械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。

2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。

3、自动上下料台，准确上卸工件。

4、净化烘干槽，*的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。

5、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。

6、具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。

多晶硅超声波清洗机技术参数 超声波功率：10.2KW 超声波频率：40K/80KHZ 换能器数量：200个 电源电压：三相五线380V应用范围 多晶硅超声波清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器 件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的 有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器 皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。 炉前（RCA）清洗：扩散前清洗 光刻后清洗：除去光刻胶。 氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。 外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。 合 金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。