AEC-Q200试验条件
说明：AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验
试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测
高温储存(MIL-STD-202-108)：[适用设备：高低温试验箱]
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h
电感、变压器、电阻：125℃/1000h
变阻器：150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：*大额定温度/1000h
高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：[适用设备：高低温试验箱]
网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL
钽电容、陶瓷电容：*大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压
铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压)
自恢复保险丝：125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压
可变电阻：125℃/1000h/额定功率
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
温度循环(JEDEC22A-104)：[适用设备：冷热冲击试验箱、ESS快速温度变化试验箱]
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
网络低通滤波器、网络电阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
温度冲击(MIL-STD-202-107)：[适用设备：温度循环箱、冷热冲击试验箱]
自恢复保险丝：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
偏高湿度(MIL-STD-202-103)：[适用设备：高低温湿热试验箱]
钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V
电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电
铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流
电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%
自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%
网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]
变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流
石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压
湿度抵抗(MIL-STD-202-106)：[适用设备：高低温湿热试验箱]
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电
AEC-Q200专有名词整理： 简称 | 中文 | 英文 | 说明 | 8D | 解决问题方法 | | | AEC | 汽车电子设备协会 | Automotive Electronic Council | 由车厂[克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)]发起并创立于1994年，目前会员遍及各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。 | AEC-Q001 | 零件平均测试指导原则 | | | AEC-Q002 | 统计式良品率分析的指导原则 | | | AEC-Q003 | 芯片产品的电性表现特性化的指导原则 | | | AEC-Q005 | 无铅测试要求 | | | AEC-Q100 | 基于集成电路应力测试认证的失效机理 | | 规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度，试验条件多仍以JEDEC或MIL-STD为主，外加上其它独立建置的测试手法。 | AEC-Q100-001 | 邦线切应力测试 | | | AEC-Q100-002 | 人体模式静电放电测试 | | | AEC-Q100-003 | 机械模式静电放电测试 | | | AEC-Q100-004 | 集成电路闩锁效应测试 | | | AEC-Q100-005 | 可写可擦除的长久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试 | | | AEC-Q100-006 | 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试 | | | AEC-Q100-007 | 故障仿真和测试等级 | | | AEC-Q100-008 | 早期寿命失效率（ELFR） | | | AEC-Q100-009 | 电分配评估 | | | AEC-Q100-010 | 锡球剪切测试 | | | AEC-Q100-011 | 带电器件模式的静电放电测试 | | | AEC-Q100-012 | 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述 | | | AEC-Q101 | 汽车级半导体分立器件应力测试认证 | | | AEC-Q200 | 无源器件应力测试标准 | | | AEC-Q200-001 | 阻燃测试 | | | AEC-Q200-002 | 人体模式静电放电测试 | | | AEC-Q200-003 | 横梁负载、断裂强度 | | | AEC-Q200-004 | 自恢复保险丝测量程序 | | | AEC-Q200-005 | 板弯曲度测试 | | | AEC-Q200-006 | 表面贴装后的剪切强度测试 | | | AEC-Q200-007 | 电涌测试 | | | | 汽车等级认证 | Automotive Grade Qualification | | DWV | 耐压 | | | DPM | 百万缺陷数 | defect per million | 半导体组件的缺陷率 | EIA-469 | 破坏性的物理分析 | | | EIA-198 | 陶瓷电介质电容器 | | | EIA-535 | 钽电容 | | | ESD | 静电放电 | | | EWS | 电性晶圆测试 | Eletrical Wafer Sort | | FIT | 故障时间 | | | HRCF | 高可靠性认证流程 | High Reliability Certified Flow | | IEC 10605 | 静电放电人体模式 | | | ISO-26262 | 车辆机能安全 | | | ISO-7637-1 | 道路车辆电子干扰 | | | JEDEC-STD-002 | 可焊性规格 | | | JEDEC-STD-121 | 测量锡和锡合金表面涂层的锡须生长测试方法 | | | JEDEC-STD-201 | 锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求 | | | JEDEC22A-104 | 温度循环 | | | MIL-PRF-27 | 电感/变压器的测试方法 | | | MIL-STD-202 | 国防部标准电子及电气组件测试方法 | | | NEMI | 东京锡须会议 | | | PPAT | 参数零件平均测试 | Parametric Part Average Testing | | PPB | 十亿分之一 | Parts Per Billion | | | 筛选方法 | Screening Method | | SYA | 统计性良率分析 | Statistical yield analysis | | | 应力测试 | Stress Test | | UL-STD-94 | 塑料材料可燃性测试 | | |
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