电容薄膜真空计包含真空规管和测量电路两个部分。其中，真空规管将真空度转化成电容量，测量电路对电容量进行处理得到真空度的值。MEMS电容薄膜真空规管初始电容量的范围为几到几十皮法，其电容变化量为几飞法甚至更小。电容薄膜真空规管的敏感电容具有不同结构，包括单侧电极结构、双侧电极结构以及静电力平衡结构，不同结构的敏感电容其电容变化量不同。
校准电容薄膜计时,应注意以下五点:
(1)传感器调零时,首先应用标准信号将控制线路的零点和满度调好,将温度补偿器调到所需要的位置上,测量中不可随意变动。
(2)传感器调零应在其预热4小时后进行,必要时可(10～24)小时的恒温加热,才能使电容规达到较佳零点,也才能测得更准确。
(3)传感器调零的位置,应比校准范围下限低2～3个量级。如量程是1000Torr,则校准范围是133.3Pa～133300Pa。零点在真空系统抽到1.3Pa或0.13Pa位置左右时才能调节,其余量程以此类推。
(4)调零以后,校准过程中环境温度不能有骤然变化的现象发生。
(5)在校准过程中,避免传感器过大的振动。
