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CVD是化学气相沉积的简称，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，理论上即：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。所以普通CVD实验设备则由三套及以上的设备组合而成即：高温炉（提供实验温度）+供气系统（提供多种气体混合）+真空系统（提供真空实验环境）。

化学气相沉积（CVD）设备的灵活度很高，客户可根据自己实验要求选择合适的产品来组合，或者直接选择CVD套装。

一、高温炉的选择

     一般都是选择管式炉，管式炉为CVD实验提供材料沉积所需要的温度。根据材料的大小，以及实验需要的温度选择合适温度，合适口径的管式炉。

二、供气系统选择：

     供气系统即混气装置，它可以实现2种或者2种以上的气体或者蒸汽按照一定的比例来混合，然后通入高温炉中。供气系统中使用了不同种类的流量计，根据气体的性质决定。本公司的供气系统流量计一般使用了2类，见如下说明：

1.气体流量计：

浮子流量计：气体通过普通的浮子流量计粗略的估计进气量。

质量流量计：气体通过D07质量流量计精确控制进气量。

2、气液混合流量计：

用于液体高温气化后导入CVD系统的设备。

三、真空系统选择：

      真空系统为CVD实验提供实验的真空环境，将管式炉中的空气抽走，达到真空的环境。客户根据自己实验所需真空度大小及实验所需清洁程度来选择合适的真空装置。

（1）低真空系统。采用双级真空泵，标配电阻规真空计；

（2）高真空系统。采用进口分子泵，自带真空计或者采用国产分子泵，自带真空计。