某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
样品台 | 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 |
离子源 | 16cm |
均匀性 | ±5% for 4”Ф |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min |
温度 | <100 |
该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 160 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 25.2 cm |
直径 | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 |
* 可选: 可调角度的支架
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.
其产品优势:
1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的zui高抽速可达 685 l/s
2.更佳真空性能，zui低功耗
3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400
4.可在任何方向安装
5.带有集成型水冷系统以保证ZUI大气体流量
6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接
7.广泛的配件扩展使用范围
运行结果:
1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生
