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射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
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代理商上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口品牌代理商 .我们真诚期待与您的合作!
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 生产过程中需在白玻璃上进行镀膜. 由于国产镀膜设备在射频和光控性能方面的限制, 镀制过程易出现温漂现象, 材料折射率不高, 品质无法保证; 且工艺上需要加热, 这大大增加了镀膜时间. 经过伯东推荐选用国产镀膜机加装美国进口 KRi 射频离子源进行辅助镀膜, 保证工艺效果, 提高生产效率.
红外截止滤光片是一种用于过滤红外波段的滤镜, IRCF 利用精密光学镀膜技术在白玻璃, 蓝玻璃或树脂片等光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 其可通过实现近红外光区截止以消除红外光对成像的影响, 是高性能摄像头的组件, 工艺上对所用的镀膜设备有着高的要求.
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
应用领域: 光学镜头
薄膜工艺: IR-CUT
产品类别: 红外截止滤光片
应用方向: 国产镀膜机加装 KRi 射频离子源进行离子清洗和辅助沉积, 实现 IR-CUT 单面镀膜
美国 KRi 考夫曼品牌射频离子源通过辅助镀膜在白玻璃 IRCF 上进行工艺升级, 解决温漂问题, 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.
美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数:
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生