碳化硅在半导体领域(SiC)它是一种备受关注的材料，因其优异的高温和低温工作性能而备受尊敬。碳化硅作为一种宽禁带半导体，可以在高温和低温环境下保持良好的电气性能，在许多领域具有广阔的应用前景。
温度变化会影响碳化硅片的物理、化学和电学性能，高温下其会热膨胀、硬度及机械性能改变、化学反应活性增强、原子扩散加快、载流子迁移率变化，低温时会收缩、变脆，在不同温区还会因环境因素引发如吸附水汽、影响电学性能等各类相关情况。
Impac IS 50-Si-LO plus测温仪采用特殊波长，适用于硅片的测量，测温范围400-1600 °C，该仪器配备了一根光纤以及一个可更换的光纤测头，不受电磁干扰（如：感应）的影响，耐温可高达250 °C。
根据不同的测量距离，有两个不同的测头可供选择，可实现小的光斑尺寸。激光靶光可以用来瞄准测量物体。
