半导体封装材料高压TSDC热刺激测试系统的产品原理是什么？
产品概述：
热刺激去极化电流（TSDC）技术用于预测EMC的HTRB性能。TSDC方法包括极化过程，在该过程中，电介质样品暴露在高电场强度和高温环境下。在这种情况下，电荷被分离并在介电材料电子元件中移动。尽管单个TSDC信号和HTRB性能之间的相关性表明，极化峰值越高，TSDC曲线越大，而HTRB性能越差，但这并不能wanquan解释EMC在发出强放电信号时的某些故障。因此，弛豫时间是解释外层HTRB失效样本的另一个关键参数。
关于环氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC测试技术，为华测公司在国内较早提及目前已被广泛应用到较多的半导体封装材料及半导体生产研发企业。已证明此测试方式是有效的，同时加速国产化IGBT、MOSFET等功率器件的研发。如无锡凯华、中科科化、飞凯材料等企业。
产品原理：
TSDC是一种研究电荷存储特性的实验技术，用于确定初始电荷和捕获电荷的活化能以及弛豫，该方法包括一个极化过程，其中介电样品在高温下暴露于高电场强度下。在此之后，试样在外加电场的作用下迅速进行冷却。以这种方式，电荷被分离并固定在介电材料驻极体内。然后进行升温将驻极体内的电荷进行释放，同时配合测量仪器进行测量，并为科研人员进行分析。通过TSDC测试方法研究了EMC对功率半导体HTRB可靠性的影响，了解到EMC在高温、高压条件下会发生电极化或电取向。此外，依赖于在相应的冷却环境中维持其极化状态，它会干扰MOS-FET半导体中反转层的正常形成。通过TSDC试验，我们还了解了在可靠性测试中由于应用条件而导致的材料内部极化电荷的数量也是一个重要的影响因素。
产品参数：
设备型号：HC-TSC
温度范围：-185 ~ 600°C
控温精度：±0.25°C
升温斜率：10°C/min（可设定）
测试频率：最大电压：±10kV
加热方式：直流电极加热
冷却方式：水冷
样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm
电极材料：黄铜或银;
夹具辅助材料 ：99氧化铝陶瓷
低温制冷：液氮
测试功能 ：TSDC
数据传输：RS-232
设备尺寸 ：180 x 210 x 50mm
