多腔等离子体工艺系统：

l  方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统

l  系统可用于研发和小批量生产                                

l  系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

l  多腔等离子体工艺系统包括：一个六端口的转接腔、带机械手                                      

六个端口分别连接：

（1）一个 ALE 刻蚀腔模块：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀

（2）一个ICPECVD 沉积腔模块：用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜 （3）一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于低温深硅刻

蚀、常温锗刻蚀等                                          

（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样

（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样                        

（6）一个端口备用，未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块