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C2GR16-气相沉积炉

型号
上海皓越真空设备有限公司

中级会员15年 

生产厂家

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真空热压炉,真空烧结路,真空熔炼路,SPS等离子烧结炉,SIP气氛压力烧结炉等

 上海皓越真空设备有限公司(简称皓越科技)是一家集研发、生产、销售电炉为一体的高新技术企业。公司地处中国经济发达上海,已拥有大型现代化标准厂房,成套的加工设备,完善的质量检测体系;汇萃了一批长期从事热处理炉、真空炉及特种炉制造和服务的技术精英,其中,研究生、本科以上学历的工程技术人员26人,技术工人65余人的精英团队,具备年产200套热处理炉、60套大型真空炉的生产能力。并与上海复旦大学、上海同济大学建立了长期友好的科技合作与人才培养基地。

公司一直专注于半导体材料、碳材料、复合材料和锂电材料四大领域,积累了丰富的行业经验和技术,竭诚服务于客户,提供完善的一体式产业解决方案。

在半导体材料领域,皓越科技致力为客户提供晶体生长设备和高温退火设备,适用于蓝宝石、碳化硅、氮化镓和氮化铝晶体的生长和退火。还推出氧化/扩散炉、LPCVD/PECVD等薄膜生长掺杂设备以及晶圆快速热处理RTP设备。

在碳材料领域,皓越科技拥有提供石墨烯、碳纳.米管的CVD及PECVD成套生长系统,并提供金刚石工具生产用真空炉和热压炉,以及碳材料用高温石墨化炉等。

在锂电材料领域,我们为客户提供连续正极材料生产窑炉,有辊道窑、推板窑等,以及用于负极材料生产用真空炉等。

在陶瓷基复合材料领域,拥有碳化硅陶瓷的无压烧结、反应烧结和重结晶烧结设备,氮化硅粉体合成炉以及陶瓷制品烧结炉,碳化硼陶瓷热压烧结炉等。

上海皓越真空设备有限公司所提供的产品技术先进,质量可靠,品种齐全。公司成立以来在市场上巳获得用户认可,其产品质量及服务获得用户的肯定,我们的优势不仅体现在高精度的温度控制领域,更多的是我们在工艺、真空,自动化控制及计算机温度分析系统有杰出的人才。

皓越人的愿景:成为新材料、新能源热处理领域。
皓越人的使命:推动新材料、新能源领域的快速发展;为新材料、新能源行业提供热处理解决方案。
皓越人的价值观:
客户为天:一切技术创新和服务理念均以客户的需求为导向,我们坚持以客户为主要,持续为客户创造价值,积极、快速的响应客户需求。为客户提供服务,是我们的工作方向和价值*,成就客户就是成就我们自己。
诚信为本:只有坚持诚信为本,才能言出必行,信守承诺。诚信是我们很重要的无形资产,皓越人坚持以诚信赢得客户。
创新为先:为了更好的满足客户需求,我们需要积极进取、勇于开拓与创新。任何先进的技术、产品、解决方案只有转化为商业成功才能产生价值。我们坚持以客户需求为导向,并围绕客户需求持续创新。
合作为赢:为了实现客户需求,除了持续创新,我们还要与供应商、合作商密切合作,只有合作才能实现双赢,合作是提升流程效率的有力保障。
发展为道:一切努力与奋斗,为了发展,我们成就了客户,自身也在发展。发展是硬道理,只有持续发展,我们与客户才能携手进步,员工与企业才能实现梦想。
皓越人的行为准则:

三大作风:认真,快,坚守承诺;

一个目标:客户满意100;

一个保证:保证完成任务。

皓越选人用人理念:

用对人,做对事!得人才者得天下!一切竞争,归根结底是人才竞争。选人用人,关乎皓越的成败;把合适的人放在合适的岗位上。

详细信息

一、C2GR16-气相沉积炉基本原理与特点

1.基本原理:
热诱导化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式,无论是单晶,多晶,无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳,碳化硅,氮化硼。通过使用合成前体,涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求,根据工艺参数,可以有多种层厚度,从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层,以及厚度达100微米的单片部件,甚至高达数毫米

2.设备特点:
(1)采用卧式、侧开门结构,装、卸料精度高,操作方便;
(2)采用先进的控制技术,能精密控制MTS的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动范围小;
(3)温度均匀性好,平均温度均匀性为±5℃;
(4)采用多通道沉积气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;
(5)全封闭沉积室,密封效果好,抗污染能力强;
(6)安全性能好,采用HMI+PLC+PID程序控制,安全可靠;
(7)对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;
(8)多级高效尾气处理系统,环境友好,能高效收集焦油及副产物,易清理;
(9)采用设计防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率极低。

二、C2GR16-气相沉积炉主要技术参数:

1编号C2GR16
2产品型号VHCgr-20/20/30-1600
3最高设计温度(℃)1600
4加热元件等静压石墨
5加热功率(kW)45
6冷态极限真空度(Pa)6.7x10-3Pa(空炉、冷态、经净化)
7测温元件钨铼热电偶
8升温速率1~20℃/min
9温度均匀性±5℃(5点测温,恒温区1000℃保温1h后检测)
10炉膛尺寸(mm)200x200x300(WxHxD)
11可通入气氛1路CH3SiCI3、1路氨气、1路氢气、1路氮气
12气氛流量计4路质量流量计
13设备外形尺寸(mm)1425x1550x1850mm(LxWxH)


三、化学气相沉积炉(CVD气相沉积炉)产品展示图:

C2GR16-气相沉积炉

C2GR16-气相沉积炉





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