专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。*的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。

特点：

1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化

2. 13.56MHz高频射频发生器

3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作

4. 标配75W版本，可选150W版本

5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入

6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的适配器

7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)

三、技术参数

1、控制系统

1）操作界面：7英寸电阻触摸屏操作界面，支持多种工作方式。

2）程序控制：可编程，总共有20个程序，每个程序有3个清洁步骤

2、反应腔体

1）腔体材质：圆柱形石英玻璃舱。

2）腔体尺寸：内径110毫米，外径120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。

3）前观测窗：前方开口，5毫米厚石英玻璃可视窗口，可观测内腔等离子状态，并带有防真空泄漏和避免高压的联锁装置，有效保护操作的安全性；

3、射频电源

1）射频频率：13.56MHz

2）射频功率：标配0~75W；可选配0~150W。从0瓦到150瓦之间以1瓦间距连续可调，自动阻抗匹配。

3）射频输出可以工作在脉冲方式，脉冲比可以从1/255调到255/255（连续输出）。

4、等离子源

1）等离子强度探测器实时测量等离子源强度。

2）电阻耦合电离方式。

3）外置电极设计，高压电极不合等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染。

5、气体控制

1）气路控制：标配一路MFC；可选配三路MFC；

2）质量流量计可以在0~100sccm之间控制气体流量；

3）一路(Venting and purging)气体入口用来快速给样品室放气和冲走残余处理气体。

4）自动放气流程控制可以保护真空泵不受影响。

5）高性能气压计可以测量1e-4 Torr到大气压之间的气压。

6）6mm气体接口。

6、真空系统

1）KF25法兰接口用来连接真空泵。

2）真空要求：抽速：>1.7m3/h；

3）低气压：<=200mTorr.