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mr-I 7000E、mr-I 8000E 德国Micro Resist纳米压印胶
半导体化工领域专业实验设备供应商:迈可诺是一家富有创新精神的高科技公司,专业提供光电半导体化工实验室所需设备耗材的全套解决方案提供商,迈可诺从事开发、设计、生产并营销质量可靠的、安全易用的技术产品及优质专业的服务,帮助我们的客户和合作伙伴取得成功。我们成功的基础是帮助客户做出更好的选择和决定,尊重他们的决定,并协助他们实现高效率的科研成果,追求丰富有意义的生活。
品牌 | 产地 | 型号 | 特点 |
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Micro Resist | 德国 | mr-I 7000E系列 | Tg = 60℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度125 - 150℃,压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率) | |
mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度170 - 190℃,压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率) | |||
mr-I PMMA 35k/75k系列 | Tg = 105℃ 优异的成膜质量 低分子量从而实现高效的流动性 压印温度150 - 180℃,压印压力50 bar 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率) | |||
mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 优异的成膜质量 压印温度140 - 170℃,压印压力大于5 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率,高化学稳定性 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率) | |||
mr-I 9000E系列 | 热固化之前Tg = 35℃ 优异的成膜质量 | |||
mr-NIL 6000系列 | 光化学固化之前Tg = 40℃ 优质的固体光胶薄膜 接近等温加工处理:压印、紫外曝光固化,压印与脱模在同一温度下进行 非常低的残余胶层厚度低至10 nm 图案转移时高保真度 Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 | |||
mr-UVCur06 | 旋涂使用 优质的成膜质量和胶厚均一性 室温加工处理 由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间 低剂量紫外曝光快速固化 可获得优于30 nm的分辨率(取决于模版分辨率) Plasma刻蚀高阻抗性能 O2 Plasma刻蚀可无残余去除 宽带或i线曝光 | |||