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mr-I 7000E、mr-I 8000E 德国Micro Resist纳米压印胶

型号
mr-I 7000E、mr-I 8000E
参数
供货周期:一个月以上 应用领域:电子
迈可诺技术有限公司

中级会员11年 

代理商

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纳米压印光刻胶

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详细信息

品牌

产地

型号

特点

 

Micro Resist

德国

mr-I 7000E系列

Tg = 60

优异的成膜质量

由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

压印温度125 - 150,压印压力20 - 50 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

 
 

mr-I 8000E系列

Tg = 115

优异的成膜质量

由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

压印温度170 - 190,压印压力20 - 50 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

 
 

mr-I PMMA 35k/75k系列

Tg = 105

优异的成膜质量

低分子量从而实现高效的流动性

压印温度150 - 180,压印压力50 bar

可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

 
 

mr-I T85系列

Tg = 85

优异的成膜质量

压印温度140 - 170,压印压力大于5 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶

非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率,高化学稳定性

可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

 
 

mr-I 9000E系列

热固化之前Tg = 35

优异的成膜质量
接近等温加工处理
n 压印温度120
n 脱模温度100
压印时温度从TgTgCured增加并固化
非常低的残余胶层厚度低至5 nm
Plasma
刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

 
 

mr-NIL 6000系列

光化学固化之前Tg = 40

优质的固体光胶薄膜

接近等温加工处理:压印、紫外曝光固化,压印与脱模在同一温度下进行

非常低的残余胶层厚度低至10 nm

图案转移时高保真度

Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
宽带或i线曝光

 
 

mr-UVCur06

旋涂使用

优质的成膜质量和胶厚均一性

室温加工处理

由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间

低剂量紫外曝光快速固化

可获得优于30 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

Plasma刻蚀高阻抗性能

O2 Plasma刻蚀可无残余去除

宽带或i线曝光

 
 

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产品参数

供货周期 一个月以上
应用领域 电子
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