ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列

QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的溅射镀膜制程

主要特征

A.低压溅 工艺环境

l  能在较低压力下进行溅射成膜（持续放电压力 1~0.1Pa     

B.应对磁性材料薄膜的制程

l  阴极可以安装各种磁场材料的靶材（Fe、Ni、Co 等）

C.多组分共成膜/多层成膜

l  多阴极同时对位基板中心，能够进行多组分共成膜

l  开闭可控的挡板设计实现多层膜的制备    

D.   良好的膜厚均匀性/稳定沉积    

l  倾斜入射的溅射过程，实现良好的膜厚均匀性 

l  采用ULVAC-LTS※ 1技术，大程度抑制阴极边缘不匀等

离子体对基板的影响，实现稳定沉积

注 ）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

E.      UHV 对应 

    l  通过增加选项标准部品，可实现腔体本底 高真空：1.0×10‐6Pa 以下真空压力。

F.      高拓展性   

l  通过变更相应模块或部件适应性设计，来实现更多用途

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能  够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成  膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。

操作界面前置

本设备通过将操作界面集中配置在设备前方，使得操作者能够仅在设备正面完  成设备的开启、关闭以及成膜等操作。先进的功能、直观的的操作以及安全性的实现

Repeatability

能够确保再现性

本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。

Safety

能够在Interlock设置下安全操作

本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够     任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。

Intuitive operation

直观的操作界面

本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。

Analysis

能够进行工艺数据分析

本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time      Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。

高拓展性

本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。

采用LTS技术

本设备通过采用ULVAC的LTS※1技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw Sputter

UHV对应

本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。

注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。