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HT-391手持式四探针方阻测试仪
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HT-391手持式四探针方阻测试仪参照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84);GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》;GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》;GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》,采集集成电路恒流源系统,可充电式电源系统,上下限设定。
HT-391手持式四探针方阻测试仪功能介绍:
手持式外型结构,适用于车间生产、品管抽检,外出携带测量的场所;也适用于中小型半导体材料生产企业.
HT-391手持式四探针方阻测试仪参数资料:
规格型号 | HT-391A | HT-391B | HT-391C |
1.方块电阻范围 | 10~2.00×102Ω/□ | 10~2.00×103Ω/□ | 10~2.00×104Ω/□ |
2.电阻率范围 | 1~2×103Ω-cm | 1~2×104Ω-cm | 1~2×105Ω-cm |
3.分辨率 | 0.01Ω | 0.01Ω | 0.01Ω |
4.显示读数 | 液晶显示:电阻率、方阻、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 | ||
5.测试方式 | 单电测量 | ||
6.工作电源 | 5V.1000mA | ||
7. 误差 | ≤4.5%(标准样片结果) | ||
8.选配 | 选配1.方形探头; 选配2.直线形探头;探针间距;选配3:探针间距1mm;2mm;3mm三种规格; 选配4:探针材质:碳化钨针;镀金磷铜半球形针 |
参数资料
规格型号 | HT-392A | HT-392B | HT-392C |
1.方块电阻范围 | 0.1~2.00×102Ω/□ | 0.1~2.00×103Ω/□ | 0.1~2.00×104Ω/□ |
2.电阻率范围 | 0.01~2×103Ω-cm | 0.01~2×104Ω-cm | 0.01~2×105Ω-cm |
3.分辨率 | 0.01Ω | 0.01Ω | 0.01Ω |
4.显示读数 | 液晶显示:电阻率、方阻、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 | ||
5.测试方式 | 单电测量 | ||
6.工作电源 | 5V.1000mA | ||
7. 误差 | ≤4.5%(标准样片结果) | ||
8.选配 | 选配1.方形探头; 选配2.直线形探头;探针间距;选配3:探针间距1mm;2mm;3mm三种规格; 选配4:探针材质:碳化钨针;镀金磷铜半球形针 |
HT-393系列手持式方块电阻测试仪
技术参数资料
规格型号 | HT-393A | HT-393B | HT-393C |
1.方块电阻范围 | 0.01~2.00×102Ω/□ | 0.01~2.00×103Ω/□ | 0.01~2.00×104Ω/□ |
2.电阻率范围 | 0.001~2×103Ω-cm | 0.001~2×104Ω-cm | 0.001~2×105Ω-cm |
3.分辨率 | 0.001Ω | 0.001Ω | 0.001Ω |
4.显示读数 | 液晶显示:电阻率、方阻、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 | ||
5.测试方式 | 单电测量 | ||
6.工作电源 | 5V.1000mA | ||
7.误差 | ≤4.5%(标准样片结果) | ||
8.选配 | 选配1.方形探头; 选配2.直线形探头;探针间距;选配3:探针间距1mm;2mm;3mm三种规格; 选配4:探针材质:碳化钨针;镀金磷铜半球形针 |
HT-394系列手持式四探针电阻率测试仪
技术参数资料
规格型号 | HT-394A | HT-394B | HT-394C |
1.方块电阻 | 0.001~2.00×102Ω/□ | 0.001~2.00×103Ω/□ | 0.001~2.00×104Ω/□ |
2.电阻率 | 0.0001~2×103Ω-cm | 0.0001~2×104Ω-cm | 0.0001~2×105Ω-cm |
3.分辨率 | 0.001Ω | 0.001Ω | 0.001Ω |
4.显示读数 | 液晶显示:电阻率、方阻、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 | ||
5.测试方式 | 单电测量 | ||
6.工作电源 | 5V.1000mA | ||
7.误差 | ≤4.5%(标准样片结果) | ||
8.选配 | 选配1.方形探头; 选配2.直线形探头;探针间距;选配3:探针间距1mm;2mm;3mm三种规格; 选配4:探针材质:碳化钨针;镀金磷铜半球形针 |
适用范围:
1.覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试
2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,
3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,
4.抗静电材料, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等,
功能描述:
1. 四探针单电测量方法
2. 液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.
3. 集成电路系统、恒流输出.
4. 提供中文或英文两种语言操作界面选择
参照标准:
1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).
2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.
3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.
4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》